全南大学、無機EUVフォトレジスト開発に乗り出す

韓国の全南大学校がEUVフォトレジスト開発に主導的に乗り出すと発表した

全南大学校によると、EUV無機フォトレジスト開発を政府に提案し、研究開発国策事業に採択されたという。 韓国産業省(産業通商資源部/韓国技術評価管理院)の素材部品技術開発事業に採択され、「無機ナノ粒子基盤ハイブリッド型EUVフォトレジスト開発」として、2023年まで計55億ウォン(約4億8千万円)余りの研究費が投入されるとのこと。

EUV無機フォトレジストは素材•部品•装置産業のうち産業省が管理する国内核心素材であり、従来の有機(organic)素材ではなく無機(inorganic)素材技術の開発に乗り出すのは国内初であるという。 有機フォトレジストの持つ線幅の不均一性、低いエッチング抵抗性の問題を根本的に解決できる長所を持っていると、同大学は述べている。

国策研究には、源泉技術保有機関である全南大学校をはじめ、浦項(ポハン)加速器研究所、韓国化学研究院が参加する。また、ポケムラボレトリー、DCTマテリアル、JSIシリコンなどの企業も加わりコンソーシアムを構成した。

(画像:無機EUVフォトレジストの概念図=全南大学提供)

 
特に、全南大学校は、ナノ素材および界面研究室(チョン•ヒョンダム教授)がすでに確保している無機ナノ粒子薄膜素材技術をもとに、金属酸化物クラスター薄膜技術と電子駆動化学を研究し、これを活用して参加企業のEUV無機フォトレジスト開発を支援することになると明らかにした。

同大学によると、「この研究が成功すれば、半導体核心素材に対する日本への依存から脱することができ、国内半導体産業の長期的な側面での競争力確保が可能になる」と強調した。

日本は昨年7月、EUVフォトレジスト、高純度フッ化水素(エッチングガス)、フッ化ポリイミドの3品目に対し、韓国への輸出を規制(輸出管理強化)したが、このうちEUVフォトレジストの規制は韓国の高性能、高集積半導体技術の安定的発展と第4次産業革命時代の核心競争力確保を阻害するという考えのもと、これを克服するための国家レベルの素材技術開発が切実に求まられてきたと全南大学は説明している。
 

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