EUV工程導入を進めるSKハイニクス…来年から適用か

電子新聞(etnews)は20日、SKハイニクスが極紫外線(EUV)工程の導入を進めていると報じた。

電子新聞によると、SKハイニクスは「社内に(昨年初めから)EUVタスクフォース(TF)を設け、新規DRAM工場にEUV量産ラインを適用する作業をスピーディーに進めている」とし、「SKグループレベルでEUVに備えた素材分野の投資にも乗り出している」と伝えた。
 
(参考記事:「SKハイニクス副社長「メモリー半導体は大量生産からオーダーメイドの時代へ」」)
(参考記事:「SKハイニクス、超高速DRAM「HBM2E」の本格量産を発表」)
(参考記事:「[特集]半導体関連の買収・投資を進めるSKグループ」)
 

同TFは、EUV半導体プロセスのすべてを研究する組織であるとされる。同紙によると、「TFはEUV露光技術だけでなく、回路を刻むエッチング工程、光源に回路の形成するEUV用マスクの製造技術などEUV工程に必要な分野を細かく分けて体系的に開発している」という。TFのリーダーには、NAND型フラッシュの研究開発にも参加したことのあるジョン・テウSKハイニクス副社長が就いているとのこと。

SKハイニクスは、本社がある利川(イチョン)キャンパスに建設中の新工場M16にEUV専用ラインを設置する計画であると電子新聞は伝えた。同社は昨年、「EUV工程は2021年、次世代1a(第4世代10ナノDRAM)チップの量産から適用する計画だ」と明らかにしている。

SKハイニクスは競合他社に比べEUV導入時期は遅れたが、グループレベルでの積極的な支援により技術確保が急速に進んでいるという。

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