サムスン、HKMG工程採用の高容量DDR5メモリー開発

 サムスン電子が業界で初めて「ハイケイメタルゲート(High-K Metal Gate、以下HKMG)」工程を採用した業界最大容量の512GB DDR5メモリモジュールを開発した。
 
(参考記事:「サムスンとSKのDRAMシェアが72%に達する…昨年10~12月」)
 
 DDR5は次世代DRAM規格であり、従来のDDR4に比べて2倍以上の性能であるとともに、今後はデータ伝送速度が7200Mbpsに拡張される見込みである。これは1秒に30GB容量のUHD映画2本ほどを処理できる速度だ。

 サムスン電子が今回開発した高容量DDR5モジュールは、業界最高水準の高容量・高性能・低電力を実現し、次世代コンピューティング、大容量データセンター、人工知能など先端産業発展の重要なソリューションの役割を果たすものと期待される。

 今回開発されたDDR5メモリーは、メモリー半導体工程の微細化による漏洩電流を防ぐために、誘電率定数(K)が高い物質を工程に採用し、高性能と低電力を同時に実現したのが特徴だ。

 HKMGが採用されたサムスン電子DDR5メモリモジュールは、従来の工程に比べて電力消耗が約13%減少し、データセンターのように電力効率が重要な応用先で最適なソリューションになるものと期待される

 また、今回の製品には汎用DRAM製品としては初めて8段TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)技術が採用された。

 サムスン電子は、高容量メモリー市場の拡大やデータ基盤の応用先の拡大を受け、16Gb(ギガビット)基盤に8段TSV技術を採用し、DDR5 512GBモジュールを開発した。

 サムスン電子は2014年に世界で初めて汎用DRAMのDDR4メモリーに4段TSV工程を採用し、64GBから256GBまで高容量モジュール製品をサーバ市場に披露したことがある。

 サムスン電子メモリー事業部商品企画チームのソン·ヨンス常務は「サムスン電子はメモリー半導体とシステム半導体の技術競争力を基に、業界で初めてHKMG工程をメモリー半導体に採用した」とし「このような工程の革新を通じて開発されたDDR5メモリーは、優れた性能と高いエネルギー効率で自動運転、スマートシティ、医療産業などに活用分野が拡大される高性能コンピューターの発展をさらに加速化させるものと期待される」と明らかにした。

 インテルメモリー&IOテクノロジー総括VPキャロライン·デュランは「処理すべきデータ量が幾何級数的に増えるクラウドデータセンター、ネットワーク、エッジコンピューティングなどで、次世代DDR5メモリーの重要性が高まっている」とし「インテルはインテルXeonスケーラブル(Intel® Xeon® Scalable)プロセッサーのサファイアラピッド(Sapphire Rapids)と互換性のあるDDR5メモリーを披露するため、サムスン電子と緊密に協力している」と明らかにした。

 サムスン電子はHKMG工程と8段TVS技術が採用された高容量DDR5メモリーを次世代コンピューティング市場の顧客需要によって、適時に商用化する計画だ。
 
(参考記事:「SKハイニクスが「18GM LPDDR5 DRAM」の量産発表」)
(参考記事:「DRAM新規格「DDR5」の標準案が正式発表…DDR4比で容量4倍・速度2倍」)
(参考記事:「サムスンの米工場停止でSSDコントローラ供給も5月まで中断か」)

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