韓国政府機関、SiCパワー半導体「トレンチモスフェット」開発…過去に日独だけ成功

韓国電気研究院(KERI)は21日、SiC(Silicon Carbide、炭化ケイ素)パワー半導体素子最先端技術である「トレンチ構造モスフェット(MOSFET)」を開発し、専門メーカーと20億ウォン(約1.9億円)規模の技術移転契約を締結したと21日、明らかにした。
 
(参考記事:「韓国がパワー半導体のSiC素材検査技術を国産化…「日本の半分のコストで開発」」)
 
パワー半導体は、電気自動車のバッテリーの直流電気を交流電気に変換してモータに供給するインバータの核心部品である。炭化ケイ素を活用したSiCパワー半導体で電気自動車のインバータを作成すると、従来のシリコン(Si)半導体インバータを使用したものよりもエネルギー効率が最大10%高くなる。

インバータの体積と重さも減らすことができe-モビリティ用に適しているという評価を受ける。 SiCパワー半導体は、シリコン半導体よりも10倍高い電圧に耐え、摂氏数百度の高温でも動作し、消費電力が小さく、エネルギー効率を向上させることができる。

KERIは、韓国術陣によるSiCトレンチモスフェット開発の成功は、「SiC技術のトップリーグに、後発国であった韓国が合流したということで格別だ」とし、SiCトレンチ構造は、安定した動作と長期耐久性の確保などの課題解決が不可欠であることから、「海外でもドイツと日本だけ量産化に成功するなど技術の難易度が高い」と強調した。

バ・ンウKERIパワー半導体研究センター長は、「トレンチモスフェット技術は、私たちの研究が、過去20年間で着実に積み重ねてきたSiC材料と素子技術が集約されたもの」とし、「数年以内にSiC市場の主役になるトレンチモスフェットが国産化されたことが最も大きな意味」であると述べた。

KERIは今回開発した「トレンチ構造SiCパワー半導体モスフェット」の製造源泉技術を含め、製品化のための各種測定・分析技術など総合的な技術パッケージをSiCパワー半導体の専門企業である、㈱イエスパワーテクニクス(YES POWERTECHNIX)に最近、技術移転したと明らかにした。

技術移転の金額は、課題受託契約を含めて20億ウォンに達する。研究チームは、機器の購入から量産化ラインの構築までの全プロセスをサポートするなど、これまで輸入に依存していたSiCパワー半導体の国産化と大量生産化を積極的に支援する予定だ。

技術を移転されるジョン・ウンシク=イエスパワーテクニクスCTOは、「トレンチモスフェット技術は、先進メーカーも最近、製品を発売したと聞いている」とし、「移転いただいたトレンチモスフェット技術を適用した製品を、今年発売し、電気自動車、家電機器の顧客に披露する」と述べた。
 
(参考記事:「韓国SKグループがEV用半導体市場への進出を発表…SiCパワー半導体企業を買収」)
(参考記事:「韓国企業、合成石英ガラスに続き同溶接棒の国産化を発表…政府機関と共同開発」)
(参考記事:「韓国企業がArFフォトレジストを国産化…サムスンに供給開始」)

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