サムスン電子は18日、DDR5 DRAM用のPMIC（パワーマネジメント半導体）3種を発売すると明らかにした。
（参考記事：「サムスンが米に5ナノEUVライン設置か…「米韓首脳会談の前後に発表」と韓国紙」）
サムスン電子が発表したPMIC3種（S2FPD01、S2FPD02、S2FPC01）は、DDR5 DRAMモジュールに搭載され、DRAMの性能向上とともに動作電力を減少させる半導体として活用されることが期待されている。
PMICを外部基板に搭載したDDR4 DRAMとは異なり、最新のDDR5 DRAMではPMICをDRAMモジュール基板に直接搭載する。PMICとDRAMが一つのモジュールに搭載されるため、電源を安定して高速供給することができ、メモリのパフォーマンス向上と同時に、誤作動を最小限に抑えることができる。
サムスン電子は、独自の設計技術である「非同期2相電圧降下制御回路（Asynchronous based dual phase buck control scheme）」を適用して、電圧の変化をリアルタイムで迅速に検出し、出力電圧を一定に保つようにした。
この技術により、PMICは、高速DDR5 DRAMのデータの読み取り、書き込み速度をより安定的に支援することができる。そのため、これまで電圧を一定に維持するために搭載していた積層セラミックコンデンサ（MLCC）の使用量も減らすことができるとサムスン電子は強調した。
サムスン電子は、エンタープライズ用PMIC（S2FPD01、S2FPD02）に、出力電圧を効率的に調整する独自の設計方式であるハイブリッドゲートドライバ（Hybrid Gate Driver）を適用し、電力効率を業界標準よりも1％ポイント高い91％まで向上させたと説明した。
一方、デスクトップ、ラップトップなどのクライアント用DDR5 DRAMモジュールに搭載されるPMIC（S2FPC01）は、低消費電力の90ナノ（nm、nanometer）工程を適用し、チップ面積を減らした。
サムスン電子システムLSI事業部マーケティングチームのチョ・ジャンホ常務は、「サムスン電子は、モバイルとディスプレイ、SSD（Solid State Drive）PMICで培った設計技術力とノウハウをデータセンター、エンタープライズサーバとPCなどに搭載されているDDR5 DRAMメモリモジュールにも適用した」とし、「DRAM用PMICのラインアップを継続的に強化し、技術リーダーシップを拡大する」と語った。
（参考記事：「サムスンが投資規模を17兆円規模に拡大…「システム半導体ビジョン2030」達成のため」）
（参考記事：「サムスン、業界初「CXLベース」DRAM技術開発を発表」）
（参考記事：「サムスン、次世代半導体パッケージ技術「I-Cube4」開発」）
（写真：サムスン電子が今回発表したPMIC＝同社提供）
