TSMCが1ナノ工程課題を解決する材料を開発か…Natureに掲載

外信などによると、TSMC、NTU(国立台湾大学)、MITはNature誌に1ナノメートルの製造プロセスでトランジスタのコンタクト電極に使用される材料を開発したと発表した。TSMCが1ナノメートル製造プロセスの難題を解決し、量産に一歩近付いたことになる。
 
(参考記事:「台湾TSMC、アリゾナに最先端3ナノ半導体ラインも建設か…ロイター報じる」)
 
12日に掲載された内容をもとに韓国紙が報じたところによると、半導体の主要材料であるシリコンを半金属元素であるビスマス(Bi)と結合し、両者の限界に近い低抵抗を実現することができる2次元素材に置き換えるというのが、今回の研究を通じて発見された主な内容である。ビスマスとの組み合わせで高い接触抵抗と低電流伝達能力というユニークな特性を持つ2次元素材の限界を克服し、半導体効率を最高レベルに高めることができるという説明だ。

半導体の微細化が限界に達するにつれ、メーカーはシリコンに代替する2次元素材の開発研究に着手しているが、今回の研究結果で技術的課題を解決することができるとの期待感が出ているようだ。

TSMCとNTU、MITは、過去2019年から約18ヶ月間、研究開発で協力してきた。 MITが主要な技術を発見し、 TSMCがプロセスを最適化し、NTUがこれを1ナノに絞り込むことに尽力したと伝えられる。

最近、IBMは世界初の2ナノ工程ベースのチップを公開し、2024年末の量産開始を目標にしている。サムスン電子は5ナノ製品を量産し、3ナノテクノロジーの開発に向かっているところだ。

一方、TSMCは3ナノ工場も早ければ7月に稼動を開始し試験生産に突入するとみられている。
 
(参考記事:「クアルコムのTSMC再委託、サムスン製造スナドラ888発熱が問題?台湾紙報じる」)
(参考記事:「TSMC、中国最大のビットコイン採掘企業に5ナノチップ供給か」)
(参考記事:「サムスン電子、半導体特許保有数で世界1位に…TSMCの2倍以上」)

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