サムスン電子NAND型フラッシュメモリの開発総括役員が「200段以上超高段8世代のNAND型をすぐに開発し適期に製品を供給したい」と明らかにした。
ソン・ジェヒョク＝サムスン電子デバイスソリューション（DS）部門メモリ事業部フラッシュ開発室長（副社長）は8日、サムスン電子オンラインニュースルームにおいて、「次世代NAND型フラッシュが変える未来」という寄稿文を投稿し、このように明らかにした。
ソン副社長は、「データを保存するNAND型は、過去2次元構造であったが限界にぶつかり、サムスン電子は垂直に積み上げた3次元（3D）空間に穴を開け、各フロアを接続する積層（V）のNAND型を世界で初めて開発した」と述べた。それとともに「高層マンションだかと言って無条件に贅沢なマンションとは限らないように、V NAND型も階数は似ているが、細かい違いがあり、微細な差が大きな結果を生む」と言及した。
ソン副社長は、「V NAND型は、初期は段数が低く、高さに対する悩みが必要なかったが、高集積・大容量の要求により段数が上がり物理的な限界を考慮する状況になった」とし、「サムスン電子は3Dスケーリング技術で半導体セル平面と高さの両方を減少させて体積を35％まで減らした。サムスン電子の第7世代176段V NAND型は、他社の100段台前半（旧型）6世代級V NAND型と高さが似ている」と説明した。
韓国メディアなどでは、このようなソン副社長の説明は、サムスン電子のNAND型が大容量・高性能でありながら、チップの大きさ・高さでマイクロンなどの競合他社旧製品よりも小さく、低く、効率が良いということを強調したとみている。
ソン副社長は「業界最小サイズ7世代V NAND型を適用した消費者のためのソリッド・ステート・ドライブ（SSD）製品を、今年下半期最初にリリースする計画である。データセンター用SSDも7世代V NAND型を迅速に拡大適用しようとしている」と述べた。
ソン副社長は、次世代NAND型の青写真も明らかにした。彼は「すでに200段以上8世代V NAND型も動作が可能な製品を確保した」とし、「市場の状況や顧客の要求に応じてタイムリーに投入できるように万全の準備をしている」と述べた。また「平面の限界を克服するために、2013年にV NAND型を披露したように3Dスケーリング技術での高さの限界も一番最初に克服するだろう」とした。
（参考記事：「マイクロンのDRAM技術追撃に韓国半導体業界が恐怖？韓国紙報じる」）
（参考記事：「SKハイニクスが176段NAND型開発発表…マイクロンに次ぎ二番目 サムスンは来年量産か」）
（参考記事：「米マイクロンが176段NAND出荷発表、「サムスンのプライドにひび」韓国紙」）
（写真：サムスン電子提供）
