サムスン電子が「ゲートオールアラウンド」（GAA）構造の3ナノメートル（㎚）半導体の量産に一歩近づいたとの報道が出ている。 GAAはサムスン電子が世界の半導体業界で初めて量産に挑戦する次世代半導体である。
1日、ETNEWSによると、「サムスン電子は、半導体、電子設計自動化（EDA）企業であるシノプシスと協力して、GAA 3ナノ工程のテープアウトに成功した」としたと報じた。
テープアウトは、半導体の設計が完成されたという意味であり、GAAベース3ナノ半導体の設計を完了し、生産段階に進むことができるようになったという意味だ。
テープアウト後、設計された半導体チップのダイが通常の動作をすることを確認する過程（パイプラインの構築）を踏むことになり、検証を終えると、試験生産・大量生産などの段階を経て最終商品化される。
ETNEWSは、「量産まではまだ時間はかかるが、今回のテープアウトの場合、次世代半導体構造とされるGAAの開発に重要な進展を遂げたものであり、注目される」と伝えた。
サムスン電子は、2022年から3ナノGAA半導体を量産する計画であると明らかにしたことがある。
（参考記事：「TSMCがアップル向けに3ナノ半導体を来年か半期から量産か」）
（参考記事：「サムスン「3ナノプロセス開発着手」…Q1電話会議で言及」）
（参考記事：「TSMCが1ナノ工程課題を解決する材料を開発か…Natureに掲載」）
