半導体次世代工程特許、サムスン20.6%···TSMCは31.4%

半導体の微細化工程の新技術である「ゲートオールアラウンド(GAA)」技術の確保のためのグローバル半導体企業の競争が激しくなっている。

18日特許庁は、主要5カ国の特許を分析した結果、ゲートオールアラウンド技術の特許は、最近大幅に増加していると明らかにした。ゲートオールアラウンド技術は、半導体業界で「フィンフェット(FinFET)」技術の次の次世代技術として評価される。フィンフェット技術は、電流が流れる経路が上面 – 左側面 – 右側の3面で構成されており、ゲートにオールアラウンド技術は、上面 – 左側面 – 右側面 – 下面の4面で構成される。

特許庁によると、フィンフェット技術は2017年1936件で最大の数を記録した後、昨年1508件(予想)へと減少している。一方、次世代工程であるゲートにオールアラウンド関連特許は毎年30%近い増加を見せ、2017年173件から昨年391件(予想)で成長が著しい。

ゲートオールアラウンド技術の出願順位は、台湾の半導体生産企業TSMCが31.4%で最も高く、続いて、サムスン電子(005930)(20.6%)、アメリカ(10.2%)、グローバルファウンドリー(5.5%)の順だった。この技術は、台湾と韓国企業が出願を主導し、米国企業が追撃する形となる。

今後もゲートオールアラウンド技術を活用した超微細プロセス技術は、TSMCとサムスン電子の競争がさらに激しくなることが予想される。サムスン電子は、来年3ナノ工程からGAA技術を世界に先駆けて適用する計画だ。 TSMCは、2023年2ナノプロセスからこの技術を導入する予定であると発表している状態だ。

バン・ギイン特許庁半導体審査事務官は「現在、5ナノ以下のプロセス技術で半導体チップを製造することができる企業は、世界でTSMCとサムスン電子しかない」とし「しかし、最近のインテルのファウンドリ事業への進出、バイデン政府の半導体集中投資などを考慮すると、最先端の半Ï導体の技術競争はさらに激しくなるだろう」と展望を述べた。
 
参考記事:韓国特許庁「中国が韓国より強力な証拠収集制度を運営 我々も制度導入必要」
参考記事:韓国におけるEV電池の安全関連技術特許出願状況(韓国特許庁)
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