韓国産業省、パワー半導体技術開発の成果など確認

韓国産業省(産業通商資源部)は21日、韓国産業技術評価管理院・韓国半導体産業協会と共に化合物ベースの次世代パワー半導体技術開発事業の推進方向について議論した。

パワー半導体は、電力の変換・トランス・安定・分配・制御を実行する半導体である。

政府は、次世代パワー半導体の分野の成長の勢い持続のために、4月に「次世代パワー半導体技術開発・生産能力拡充案」を策定した。今年5月にK-半導体戦略で、次世代パワー半導体の育成案を発表した。

「新産業創出のパワー半導体(パワー半導体)の商用化事業」の成果も点検・共有した。 2017年からシリコン・化合物(SiC、GaN)素材パワー半導体の先制的基盤の構築を支援してきたが、2023年までに総836億ウォンが投入される。

産業省は、過去2019年の事業を通じて釜山大学と科学産業団地に「パワー半導体の商用化センター」を構築し、韓国唯一の6インチSiCファウンドリ試作サービスを提供していている。

事業推進5年目を迎え行われたこの日の成果確認では、2019年から今年5月までに参加企業の製品開発を通じて、累積売上390億ウォン規模の事業化の成果が創出されたことが確認された。

カン・ギョンソン産業部産業政策室長は「過去5年間民・官が一致協力してパワー半導体技術の開発に努力した最後に、国内化合物半導体の成長基盤を用意することができた」とし「総合半導体強国に飛躍キーに化合物ベースの次世代パワー半導体のような戦略分野を積極的に育成する」とした。
 
参考記事:韓国ファウンドリ大手、GaN・SiCパワー半導体製造を推進か…韓国紙報じる
参考記事:韓国政府機関、SiCパワー半導体「トレンチモスフェット」開発…過去に日独だけ成功
参考記事:韓国がパワー半導体のSiC素材検査技術を国産化…「日本の半分のコストで開発」

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