SKハイニックスがまたやってのけた。データ処理速度を革新的に引き上げたDRAMの生産に成功した。韓国メディアnews2dayが報じた。
SKハイニックスは現存最高仕様DRAMの「HBM（高帯域メモリー）3」を開発したと発表した。HBM3の処理速度は1秒当たり819GB（ギガバイト）に達する。これは、フルHD（FHD）級の映画（5GB基準）163本を1秒で処理できる速度だ。
HBMはいくつかのDRAMを垂直連結し、従来よりもデータ処理速度を引き上げた高付加価値·高性能製品だ。今回のHBM3は、SKハイニックスHBMシリーズの第4世代製品で、昨年7月の第3世代「HBM2E」の量産以来、1年3カ月ぶりに開発されたものだ。
SKハイニックスの関係者は「今回のHBM3を通じてこれまで発売されたHBM DRAMの中で最高速度、最大容量を実現したのはもちろん、品質水準も大きく高めた」と説明した。
HBM3は、前の世代であるHBM2Eと比較すると速度が約78%速くなっている。「エラー訂正コード（On Die-Error Correction Code）」も内蔵されており、DRAMセル（Cell）に送られたデータエラーを自ら補正できる。
SKハイニックスは、HBM3を16GBと24GBの2つの容量で発売する計画だ。特に24GBは業界最大の容量で、SKハイニックス技術陣はこれを実現するため、単品DRAMチップをA4用紙1枚厚さの3分の1に当たる約30㎛（マイクロメーター・100万分の1m）の高さに磨いた後、このチップ12個を「シリコン貫通電極（TSV）」技術で垂直連結した。
TSVとは、DRAMチップに数千個の微細な穴を開けて、上層と下層のチップを垂直貫通電極で連結する相互連結技術だ。
HBM3は今後、高性能データセンターに搭載され、人工知能（AI）の完成度を高めるマシンラーニングや気候変動解析、新薬開発などに使われるスーパーコンピューターにも適用される見通しだ。
SKハイニックスのチャ·ソンヨンDRAM開発担当副社長は「世界で初めてHBM DRAMを発売したSKハイニックスはHBM2E市場を先導したのに続き、業界で初めてHBM3開発に成功した」とし「今後もプレミアムメモリー市場のリーダーシップを強固にする一方、ESG（環境·社会·支配構造）経営に合致する製品を供給し顧客価値を高めるために最善を尽くす」と述べた。
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