DBハイテックが次世代化合物素材基盤の電力半導体を来年第1四半期に開発する。電力半導体事業に乗り出すのは今回が初めてだ。韓国メディア「電子新聞」が報じた。
シリコンカーバイド（SiC）、窒化ガリウム（GaN）基盤の電力半導体は、シリコン（Si）半導体に比べ電力転換効率が速く耐久性が優れており、電気自動車や第5世代（5G）モバイル通信市場での需要が急増する見通しだ。
DBハイテックは来年第1四半期をめどにSiC基盤の6~8インチ電力半導体を開発しているという。SiC電力半導体とともにGaN基盤の電力半導体事業まで同時に推進する。生産拠点を確保し、装備発注も推進する。
DBハイテックは、グローバルファブレス顧客会社が設計したマイクロコントローラーユニット（MCU）、ディスプレイ駆動チップ（DDI）、イメージセンサー（CIS）など半導体を委託生産するファウンドリ企業だ。特にSi DDI、MCU、CISなどを主に生産した。
電力半導体市場への進出は、電気自動車、5Gモバイル通信、人工知能（AI）などで需要が大きく増えているためだ。ウルフスピード、オンセミコンダクター、ツーシックス、SKシルトロンなどが電気自動車や5Gの需要に合わせて6インチSiC電力半導体の生産、または8インチに拡大している。
DBハイテックは既存の忠清北道（チュンチョンブクド）工場の敷地を最大限活用して生産能力に対応する。Si半導体装備を活用するか、SiC半導体新規装備を一部追加するものと予想される。
DBハイテックはこれを契機に、総合システム半導体企業に跳躍するという計画だという。
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