ラムリサーチ、パワーデバイス向けディープシリコンエッチング装置開発

米国の半導体製造装置メーカーであるラムリサーチは12月8日、新製品であるSyndion GPを発表したと韓国メディア「HelloT」が報じた。

Syndion GPは、自動車、電力供給、エネルギー部門に使われる次世代パワーデバイスやパワーマネジメントICを開発する半導体チップメーカーが、ディープシリコンエッチングを実現する。

自動車、電力供給、エネルギー部門の技術高度化で、チップ水準で電力増加、性能改善、密度増加に対する要求が高まり、高いアスペクト構造に必要なウェハ間における均一度の要件が強化された。

このウェハ間の均一度を持つ高いアスペクト比の技術は、フォームファクターを犠牲にせず、高度な素子開発を可能にすることができる。このため、素子メーカーは、精密で均一なディープシリコンエッチングプロセスを備えなければならない。

このような高精密な製造プロセスをサポートするように設計したのが、Syndion GPである。この装置は、従来の200mmだけでなく300mmサイズのウェハでも素子を生産するように使用できるため、キャパシティ増加のためのプロセスが簡素化される。

現在、多くのパワーデバイスが直径200mmのシリコンウェハで製造されているが、増加する需要に合わせるため300mmウェハの生産に移行している最中だ。Syndion GPは、ラムリサーチのディープシリコンエッチング能力をベースとし、関連する特殊技術製品群の範囲を拡張する。

特殊技術とは、電気自動車、IoTや5Gのような広範囲の消費者や産業技術および応用分野をサポートするパワーデバイス、微細な電気機械システム(MEMS)、アナログやミックスドシグナル向け半導体、高周波(RF)ソリューション、オプトエレクトロニクスデバイス、CMOSイメージセンサ(CIS)のことである。

ラムリサーチのパット・ロード(Pat Lord)顧客支援事業部およびグローバル運営副社長は「特殊素子に対する需要が継続して急成長している。ラムリサーチは、顧客と緊密な協業を通じて、300mmウェハを使う方向で、迅速に高度なパワーデバイスを製造しなければならないという必要性を確認した。Syndion GPは、半導体チップメーカーの増加する需要を充足させ、同時に新しい特殊技術の革新もサポートすることができる」と述べた。

Syndion GPは、優秀な生産性が立証された200mm DSiEプラットフォームやパッケージング市場、ハイブリッドメモリ市場、CMOSイメージセンサ市場をリードする300mm Syndion GSの特性を含めることで、ラムリサーチの広範囲なディープシリコンエッチングのポートフォリオを拡張する。

Syndion GPは、大量製造プロセスに必要な精密制御と優れた生産性をすべて満たし、次世代素子の問題解決に必要な様々なディープシリコンエッチングソリューション範囲でその力を発揮する。

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