サムスン・SK、半導体業界での支配力・競争力向上に向け今年も大規模投資

昨年に歴代級の業績を上げた韓国半導体大手が、今年も大規模な投資に踏み切るものと予想される。半導体業界では「サムスン電子とSKハイニックスが今年、前年以上の攻撃的投資に乗り出すだろう」という話が出回っている。両社とも主力のメモリ半導体支配力を維持する一方、未来の目標に据えたファウンドリ(半導体委託生産)事業の競争力強化に集中する見通しだ。韓国メディア「newsworks」が報じた。(写真:サムスン電子)

6日、半導体業界によると、サムスン電子の半導体部門とSKハイニックスは昨年、創業以来最大の売上を記録した。サムスン電子の半導体部門は、昨年に94兆1600億ウォン(約9兆224億円)の売上を記録し、SKハイニックスは42兆9978億ウォン(約4兆1202億円)の売上を記録したものと集計された。

このような好業績を基に、サムスン電子は同期間、約93兆8000億ウォン(約8兆9879億円)の売上を上げたインテルを抜き、グローバル半導体売上トップの座についた。2018年以降3年ぶりだ。SKハイニックスも2016年以降5年連続で3位を維持している。

半導体業界ではサムスン電子とSKハイニックスが今年、積極的な投資で「順位固め」に入るとの観測が支配的だ。両社とも具体的な投資規模については言及しなかったものの、前年水準を上回る金額を投入するものと予想される。

具体的にはサムスン電子は今年、70兆ウォン(約6兆7074億円)以上を半導体に投資するものと見られる。平沢(ピョンテック)の半導体3・4工場と米テーラー市のファウンドリ工場投資を考慮した金額だ。昨年にもサムスン電子は極紫外線(EUV)基盤の15nm DRAM、V6 NANDなどのための平沢市と中国西安市の増設、工程転換、平沢P3ラインインフラなど半導体だけに43兆6000億ウォン(約4兆1777億円)を投資した経緯がある。

SKハイニックスは昨年の水準(13兆4000億ウォン、約1兆2840億円)を上回る投資を予告した。SKハイニックスのノ・ジョンウォン社長は先月28日に行った第4四半期業績発表カンファレンスコールで「今年の投資規模は昨年より増加すると予想される」とし「龍仁(ヨンイン)半導体新規工場敷地買入と米国研究・開発(R&D)センター建立などに主に投入される予定」と述べた。

こうした大規模投資の第一目標は、DRAM・NAND型フラッシュメモリなどメモリ半導体分野における各自の支配力を強化することである。グローバルメモリ半導体市場でサムスン電子は圧倒的な1位を疾走しており、SKハイニックスがその後を追いかけている。昨年第3四半期基準のグローバルDRAM市場でのシェアでは、サムスン電子は44%とトップを守った。SKハイニックスは27.2%で2位だ。

NAND型フラッシュ市場でもサムスン電子が30%を超えるシェアで1位を占めている。SKハイニックスは現在3位だが、最近インテルNAND型フラッシュ事業部を買収し、グローバル2位に浮上するという見通しが出ている。

両社が注目しているファウンドリ市場で、いわゆる「銭の戦争」が繰り広げられている点も攻撃的投資の背景に挙げられる。50%が越えるファウンドリ市場シェアで2位のサムスン電子(17.1%)を圧倒する台湾TSMCは、今年に過去最大規模の440億ドル(約52兆ウォン、約4兆9826億円)を投資する計画だと明らかにした。昨年、ファウンドリ事業の再進出を宣言したインテルは、今年前年比約60%増の280億ドル(約34兆ウォン、約3兆2579億円)を半導体に投資すると発表した。

グローバル覇権争いで遅れを取らないためには、攻撃的な投資基調を維持しなければならない状況だ。ファウンドリ事業を未来の目標に据えたサムスン電子とSKハイニックスにとってはなおさらだ。サムスン電子は2030年までにファウンドリ市場1位に躍進するという半導体ビジョンを打ち立てており、SKハイニックスは昨年に「8インチファウンドリの生産能力を2倍に増やす」と発表し、8インチファウンドリ企業を買収した。

参考記事:「半導体業況の改善に弾みがつくか」世界のDRAM半導体価格、反発の兆し
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