第3世代電力半導体市場、年平均48%成長の見通し…カギは「価格」引き下げ

シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの化合物基盤の第3世代電力半導体市場が急成長するという見通しが出た。高出力・高周波特性があり、有望産業である電気自動車や急速充電バッテリーなどに幅広く使われるという分析だ。ただ、従来のシリコン(Si)素材より工程コストが高く、価格を引き下げるのがカギとなる見通しだ。韓国メディア「sisajournal」が報じた。(写真:iStock)

12日、市場調査会社のトレンドフォースによると、昨年9億8000万ドル(約1兆2000億ウォン、約1146億円)にのぼる第3世代電力半導体市場の規模は、2025年には47億1000万ドル(約5兆8000億ウォン、約5506億円)に増える見通しだ。同期間、年平均成長率は48%に達するとトレンドフォースは見通した。

電力半導体は電子機器で電力変換と変圧、分配、制御を担当する核心部品だ。このうち3世代に属するSiC素材は、高出力分野に適しており、電気自動車や風力、太陽光などへと活用幅の拡大が予想される。特に、電気自動車バッテリー電源システムは今後800ボルト(V)以上の高電圧を要求するものと予想されるだけに、SiCはこの分野で電気自動車の性能を高めることができるものと見られる。

GaNは、スマートフォンやタブレットPC、ノートパソコンなどのIT機器の急速充電に容易だという評価を受けている。この素材は電力密度が高く、従来の急速充電より速いスピードで充電できる。相手先商標生産(OEM)と製造業者生産方式(ODM)企業にメリットがあり、GaN素材の開発が早いスピードで進められている。

トレンドフォースはSiC電力半導体市場が2025年まで33億9000万ドル(約4兆1800億ウォン、約3963億円)に成長できると見通した。GaNも同期間、市場規模は13億2000万ドル(約1兆6000億ウォン、約1543億円)に上るだろうと試算した。

第3世代電力半導体の商用化への足かせは、従来のSi素材より高い基板コストと製造難度だ。特に、製造コストは従来のSiより10倍ほど高い。米半導体開発会社のウルフスピードやツーシックスなどが生産力を拡大しており、量産体制が構築されればコストは下がるものと見られる。これらのメーカーは、下半期から量産に突入する予定だ。

韓国企業も第3世代電力半導体の開発に積極的に乗り出している。代表的なメーカーは、LXセミコンやDBハイテック、イエスパワーテクニクス、トリノテクノロジーなどだ。

パワー半導体商用化事業団のク·ヨンソ団長(檀国大電子電気工学部教授)は「第3世代の電力半導体はこれまで費用、施設、製造問題などで商用化に限界があった」とし「韓国の場合、5年前までは電力半導体技術力がゼロ水準だったが、今では世界的な企業と70%程度は競争できる構造を作った」と説明した。

続いて「韓国のファブレス・ファウンドリ企業が開発しており、政府レベルの事業が推進されているだけに、次世代電力半導体の成長速度は速くなるだろう」と付け加えた。

参考記事:K-半導体、今年に56兆7000億ウォンを投資…1200人の専門人材養成へ
参考記事:電気研、SiC電力半導体など電気基盤の未来4大モビリティ核心技術を紹介
参考記事:DBハイテック、第1四半期に次世代電力半導体開発…独自チップ事業強化へ

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