サムスン電子、UFS4.0メモリを初開発…従来の3.1製品と比べ伝送帯域幅2倍に

サムスン電子は4日、次世代UFS(Universal Flash Storage)4.0規格の高性能組込みフラッシュメモリを業界で初めて開発したと発表した。韓国メディア「dailian」が報じた。(写真:サムスンが業界で初めて開発したUFS4.0フラッシュメモリ=サムスン電子)

国際半導体標準化機構JEDECは米国現地時間3日、UFS4.0規格を承認した。

UFS4.0はデータ伝送帯域幅が既存UFS3.1対比2倍の23.2Gbpsに大きくなり、より早くデータを保存して読むことができる。

UFS4.0は高解像度コンテンツと大容量モバイルゲームなど処理するデータが増える最新スマートフォンなどモバイル機器をはじめ、今後車両向け(Automotive)半導体、メタバース(Metaverse)などを含む機器に広範囲に拡散するものと予想される。

サムスン電子は独自開発したUFS4.0コントローラーと第7世代VNANDを搭載し、業界最高水準の性能を実現した。

サムスン電子UFS4.0メモリは、連続読み取りと連続書き込み速度が前世代(UFS3.1)比でそれぞれ2倍、1.6倍に速くなった。同製品の連続読み取り速度は4200MB/s、連続書き込み速度は2800MB/sだ。

エネルギー効率も大きく増加した。サムスン電子UFS4.0は、1mA当たり6.0MB/sの連続読み取り性能を提供し、電力効率が従来のUFS3.1製品に比べて約45%以上向上した。

サムスン電子UFS4.0メモリが搭載されたモバイル機器は、同じバッテリー容量でもより多くのデータを処理することができる。

サムスン電子は、ユーザーの個人情報など重要なデータを安全に保護するため、性能が1.8倍向上したAdvanced
RPMB技術を採用した。

サムスン電子はUFS4.0メモリを横11mm、縦13mm、高さ1.0mmのコンパクトなパッケージを実現し、モバイル機器のデザインの利便性と空間活用性を高め、最大1TB容量まで提供する計画だ。

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