サムスン電子のイ・ジェヨン副会長が20日午後、京畿道（キョンギド）のサムスン電子平沢（ピョンテク）半導体工場（平沢キャンパス）を訪れたユン・ソクヨル大統領とジョー・バイデン米大統領を出迎えた。韓国メディア「s-journal」が報じた。（写真：サムスン電子イ副会長がバイデン米大統領とユン大統領を工場にてご案内する様子＝News1）
イ・ジェヨン副会長は同日、平沢工場で韓米首脳の初会合に続き、約20分間の工場視察日程にも同行した。
イ副会長はすぐに続いた歓迎イベントでは両国首脳が平沢工場を訪問したことに対して深い謝意を明らかにし、韓米間半導体協力を強調した。
イ副会長は英語で「全世界で最も大きく先進化された製造工場である平沢半導体キャンパスへようこそ」とし「サムスンは25年前に米国で半導体を作った最初のグローバル企業であり、このような友情を尊重し大切に考え続けて発展させることを期待する」と話した。
また、「半導体はすべてのエンジンになっており、成長をリードして多くの機会を作っている」とし、「人々がインターネットにアクセスできるようにし、多くの知識のデータベースにアクセスできるようにし、企業の生産性を高めている」と述べた。
イ副会長は合わせて「このような革新は皆さんのおかげで可能だ」とし、全世界のサムスン職員に感謝を表わした後、ユン大統領とバイデン大統領を紹介した。
同日、工場内部に設けられた壇上には、バイデン大統領を歓迎する意味で、サムスン電子の役員や従業員のうち、米国籍者30人あまりが出席した。
韓米首脳が訪れたサムスン平沢工場は、サッカー場400ヵ所を合わせた規模の世界最大の半導体生産基地だ。次世代メモリ（DRAM・NAND）と超微細ファウンドリ（半導体委託生産）製品を生産する。
現在、平沢1ライン（P1）と2ライン（P2）が稼動中であり、3ラインは工事が進行中だ。
ユン大統領とバイデン大統領は、1ラインと3ラインを訪れ、半導体工程や試作品などについての説明を聞いたという。
サムスン電子は近いうちに世界で初めて量産予定の次世代GAA（Gate-All-Around）基盤の3ナノ半導体試作品を披露し、両首脳は芳名録の代わりに同半導体ウェハーに署名した。
GAAは従来のフィンフェット（FinFET）技術よりチップ面積は減らし、消費電力は減少させながら性能は高めた新技術だ。サムスン電子はGAA技術を採用し、台湾のTSMCより先に3ナノ量産を開始することを目標にしている。
サムスン電子はこのような最先端工程を掲げ、米クアルコムなどファブレス（設計）の先端半導体需要に積極的に対応する計画だ。
さらにサムスン電子は、米テキサス州テーラー市に計170億ドル（約20兆ウォン、約2兆1737億円）を投資し、新規ファウンドリ（半導体委託生産）工場を建設すると発表しており、近く着工を控えている。
バイデン大統領はこの日の演説でサムスン電子のテーラー工場投資に対して感謝を表わし「テーラー市で世界最高の半導体が生産されると信じ、この投資を通じてテキサスに3000個の新しい先端働き口ができ、サムスンがすでに米国で創出した働き口2万個に加わるだろう」と明らかにした。
サムスンはバイデン大統領の訪韓を機に、米国内の半導体業界に520億ドル（約66兆ウォン、約6兆6490億円）を支援するための法案が早急に米議会で可決され、米ファウンドリ工場の建設も弾みがつくことを期待している。
一方、イ副会長は前日に平沢工場をあらかじめ訪ね動線を点検しイベント準備に直接乗り出したと伝えられた。
イ副会長はバイデン大統領の訪韓2日目の21日夕方、国立中央博物館で開かれる国賓晩餐会にも出席する計画だ。
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