SKハイニックスが現存最高速モバイル向けDRAM「LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）」を開発し顧客会社にサンプルを提供したと25日明らかにした。韓国メディア「INVEN」が報じた。（写真：SKハイニックスのDRAM「LPDDR5T」）
原文記事：https://www.inven.co.kr/webzine/news/?news=281029
LPDDR5TはSKハイニックスが昨年11月に公開したモバイルDRAM LPDDR5X*の性能をアップグレードした製品だ。会社は今回の新製品の動作速度をLPDDR5X比13%速くなった9.6Gbps（1秒当たり9.6ギガビット）まで高めた。このように最高速度を実現したという点を浮き彫りにするため、会社は規格名であるLPDDR5の後ろに「ターボ（Turbo）」を付けて製品名を独自命名した。
また、LPDDR5Tは国際半導体標準化機構（JEDEC）が定めた最低電圧基準である1.01~1.12V（ボルト）で作動する。会社側は速度はもちろん、超低電力の特性も同時に実現した製品だと強調した。
SKハイニックスは「当社は1秒当たり8.5Gb速度のLPDDR5Xを発売してわずか2ヶ月で技術限界を再び突破した」とし「今後今回の新製品を基盤に顧客が必要とする多様な容量の製品を供給しモバイル用DRAM市場の主導権をより一層強固にするだろう」と明らかにした。
実際、最近SKハイニックスはLPDDR5T単品チップを結合し、16GB（ギガバイト）容量のパッケージ製品にし、サンプルを顧客に提供した。パッケージ製品のデータ処理速度は1秒当たり77GBで、これはFHD（Full-HD）級の映画15本を1秒で処理するレベルだ。
SKハイニックスは10ナノ級第4世代（1a）微細工程を基盤に、今年下半期から同製品の量産に入る計画だ。
一方、SKハイニックスはLPDDR5Xに続き、今回の製品にも「HKMG（High-K Metal Gate）」工程を採用した。会社は「HKMG工程技術力を通じて新製品が最高の性能を備えることになった」とし「次世代であるLPDDR6が出てくるまでは技術力格差を画期的に広げたLPDDR5Tがこの市場をリードしていくだろう」と自信を示した。
IT業界は今後、5Gスマートフォン市場が拡大すれば、速度、容量、低電力などすべてのスペックが高度化されたメモリ需要が増えるものと見ている。このような流れでSKハイニックスは今回のLPDDR5Tの活用範囲がスマートフォンだけでなく人工知能（AI）、マシンラーニング（Machine Learning）、拡張・仮想現実（AR・VR）まで拡大するものと期待している。
SKハイニックスのリュ・ソンス副社長（DRAM商品企画担当）は「今回の新製品開発を通じて超高速を要求する顧客のニーズ（Needs）を充足させることになった」とし「今後も次世代半導体市場をリードする超格差技術開発に努力しIT世界のゲームチェンジャーになるだろう」と述べた。
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