米政府高官が韓国半導体企業の中国内工場で一定技術水準以上の半導体を生産できないよう限度を設定することになると明らかにし、韓国内半導体業界が状況を注視している。韓国メディア「聯合ニュース」が報じた。（写真：半導体イメージ＝聯合ニュース）
原文記事：https://www.yna.co.kr/view/AKR20230224058200003?input=1195m
このような言及は米国が中国の半導体崛起を防ぐという制裁次元だが、中国に進出したサムスン電子とSKハイニックスの事業不確実性が大きくなりかねないためだ。
商務省のアラン・エステベス産業安保次官は2月23日（現地時間）、韓国国際交流財団（KF）と戦略国際問題研究所（CSIS）がワシントンDCで開催した韓米経済安保フォーラムで、サムスンとSKに提供した対中半導体輸出統制1年猶予が終わればどうなるかという質問に対し、「今後どうするか企業と協議している。企業が生産できる半導体水準に限度（cap on level）を置く可能性が高い」と述べた。
一定技術水準以上の先端製品は生産できないように規制を設けるという意図と解釈される。
このような規制が現実化すれば、中国に半導体工場を置くサムスン電子とSKハイニックスの立場では、事業に否定的な影響が生じざるを得ない。
ただ、国内企業はまだ米国政府の公式立場が出たわけではないと慎重な反応を示した。
国内半導体業界関係者は「まだ政府関係者のコメントに過ぎず具体的ガイドラインが出てきたわけではない」とし「具体的な影響を判断することは難しい状況」と述べた。続けて「韓国政府が国内企業に被害がないよう米国と交渉をうまく導いてくれることを願う」と付け加えた。
また別の業界関係者は「米国の目標は中国の先端半導体開発を防ぐことであって、同盟国である韓国の半導体メーカーを苦しめることではないだろう」とし「もう少し状況を見守らなければならない」と述べた。
ただし同氏は「生産と関連した規制が生じれば全世界的に半導体サプライチェーンイシューがふくらむ恐れがある」と憂慮した。
サムスン電子は中国西安と蘇州でそれぞれNAND型フラッシュ生産工場と半導体後工程（パッケージング）工場を運営している。
SKハイニックスは無錫のDRAM工場、重慶の後工程工場、インテルから買収した大連のNAND工場を運営している。
米政府はまた、自国内の半導体生産を奨励するため、企業に支給する総額390億ドル（約50兆ウォン、約5兆2523億円）相当の補助金に対する申請を来週から受け付ける。
サムスン電子とSKハイニックスも補助金を申請する予定だ。
サムスン電子は米テキサス州テーラー市に半導体工場を建設しており、SKハイニックスも先端パッケージング工場と研究開発（R&D）センター建設計画を明らかにしている。
ただ、やはり中国という変化要因がある。補助金を受ける企業は今後10年間、中国などの懸念国で半導体生産能力を拡大しないことで商務部と協約を締結しなければならない。
ただ、汎用（legacy）半導体を生産する従来の施設運営は制限しない。問題は汎用半導体の定義が明確ではないという点だ。
これと関連し、国内半導体業界は補助金を受けることには大きな困難はないと見ている。
業界関係者は「汎用半導体の定義がまだ明確ではないが、国内企業が現在中国で生産する製品の中で最先端技術を採用した製品はない」とし「補助金を受けるのに困難はないだろう」と述べた。
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