韓国電子通信研究院（ETRI）は「S-バンド200ワット（W）級窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス」の技術を開発したと発表した。
素子設計から工程、測定およびパッケージングまで全て国内の技術力で成し遂げたという。
レーダー装置は、長距離の目標を探知する核心技術で精密な検出および追跡性能のために高出力が必要である。
高出力、高電圧、高効率の特性を持つ窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスは、次世代半導体のコア材料として、最近多くの脚光を浴びている。
しかし、韓国国内に関連技術力と価格競争力を備えた企業がなく、これまで全量を輸入に頼ってきたという。
ETRIは、過去4年間の努力の末、世界最高の半導体会社と対等な同等のレベルに立つS-バンド200ワットの電力素子チップを開発したという。
本技術は、150W級以上の高いシステムの出力を必要とするレーダーの開発に多くの助けになるものと期待されるという。
軍用高出力レーダーだけでなく、民間船舶、衛星通信への応用が可能だからだ。
他にも、高出力発電所は、次世代の移動通信基地局とリピータ、船舶や車両レーダー、衛星通信など活用範囲も広い。
市場調査専門機関によると、窒化ガリウムパワーデバイス市場全体は、来年約630億ドルと予測され、関連産業の展望も明るいようだ。
本開発は、韓国国防科学研究所（ADD）が主管する「政府先導型のコア技術プログラム」において開発され、民間の専門業者の実用化開発過程を経て量産が行われる予定であるとのこと。
SCI級論文13件、国内外の特許6件出願などの実績があるという。
