韓国スタートアップがマイクロLED量産技術を開発か

　マイクロLEDディスプレイをより簡単かつ迅速に生成することができるという製造技術が韓国で開発された。 マイクロLEDは、有機発光ダイオード（OLED）に続く次世代ディスプレイだ。
韓国のエルシスクエア社（LC SQUARE）は、レーザーを用いてウェハ上のマイクロLEDチップを分離すると同時に、インターポーザ（仮基板）上に迅速に配列することができるプロセス技術を開発したと29日明らかにした。
マイクロLEDディスプレイの普及のためには、量産性、すなわちより速く、よりシンプルなマイクロLEDディスプレイを生産することが必要だが、エルシスクエア社の技術は、製造工程を簡略化したことが、その核心だという。
まず、レーザーを用いてインターポーザの製造過程を短縮した。 既存の商用化されたマイクロLEDインターポーザは15段階の工程で作られている。 LEDチップをウェハから分離する操作は、バックプレーンに配置しやすく、チップを作成するプロセスなどが計15種類ある。 エルシスクエアは、これを3〜4段階に減らした。同報のチェ・ジェヒョク最高技術責任者（CTO）は、「半導体プロセスを用いて処理が複雑な現在の方式をレーザーで簡素化した」と述べた。
120万個のチップを分離、インターポーザにする時間が4分かからず、歩留まりも99.99％を達成した。 また、目的の位置にLEDチップを配列する精度も高く、配置誤差が±2㎛に過ぎないという説明だ。
エルシスクエアは、レーザーを利用した転写技術も開発中である。 レーザーは速度が速いうえ選別的にマイクロLEDチップを転写することができ、これもマイクロLEDディスプレイの大量生産に有用である。
チェ・ジェヒョクCTOは「現在商用化された技術で4Kディスプレイを作成するには2時間以上がかかりますが、レーザー転写技術を活用すれば30分程度でなる」とし「競争力があるので、来年末までに転写技術および装置の開発を終えることを目標にしている」と述べた。
エルシスクエアは韓国のナノ技術院技術創業1号企業である。 ナノ技術院でLEDを集中研究したチェ・ジェヒョク博士が、レーザーを用いたマイクロLED製造技術の可能性を知り、サムスン電子の人材と共同創業した。
エルシスクエアは新年1月に米国で開催されるCESに参加し、マイクロLED技術を公開する計画だという。