サムスンが新たな超高速DRAMを発売


サムスン電子が次世代スーパーコンピュータ(HPC)および人工知能(AI)ベースの高速データ分析に活用することができるという超高速DRAM「フラッシュボルト(Flashbolt)」を発売した。
「フラッシュボルト」は、16ギガバイト(GB)の容量の第3世代HBM2E(高帯域幅メモリ、High Bandwidth Memory 2 Extended)DRAMであり、従来の第2世代に比べ速度と容量がそれぞれ1.3倍、2.0倍向上したという。

※HBM:高帯域幅のメモリであり、TSV技術を適用し既存の金線を用いた一般的なDRAMパッケージに比べてデータ処理速度を大幅に引き上げた製品

サムスン電子は、第2世代の8GB HBM2 DRAM「アクアボルト(Aquabolt)」を世界で初めて開発し、業界で唯一量産を開始してから2年ぶりにとなる今回、「第3世代HBM2E DRAM」フラッシュボルト」を発売した。
「フラッシュボルト」は、1つのバッファチップ上に16ギガビット(Gb)DRAMチップ(10ナノ級)8個を積み16GBの容量を実装しており、同社は、次世代の顧客システムで最高の容量、最高速度、超低消費電力など最適のソリューションを提供するという。

* 8Gb = 1GB、16Gb = 2GB
* 3世代HBM2E:16GB(16Gb DRAMx 8つ)/ 2世代HBM2:8GB(8Gb DRAMx 8つ)

サムスン電子は、16Gb DRAMチップに5,600個以上の微細な穴を開け、合計4万以上のTSV接合ボールで8つのチップを垂直接続した「超高集積TSV設計技術」を本製品に適用したという。
本製品は、「信号転送の最適化回路設計」を活用して、合計1,024個のデータ転送経路により、毎秒3.2ギガビットの速度で410ギガバイトのデータを処理するという。 フルHD(5ギガバイト)映画82作品を1秒に伝達できるレベルとのこと。

※2世代HBM2 =毎秒2.4Gbの速度で307GB転送可能、映画61本レベル

サムスン電子は、2020年に本製品を量産し、既存の人工知能ベースの高速データ分析と高性能グラフィックスシステムを改善し、スーパーコンピュータの性能の限界克服を実現し、次世代の高性能システム開発に貢献する計画であるという。
本製品はまた、世界初となる毎秒4.2ギガビットのデータ転送速度の特性を確保したとされ、今後、特定の分野の次世代システムでは、538ギガバイトを1秒に処理することができるようになると同社は予想する。
第2世代の製品と比較した場合、毎秒のデータ処理速度が1.75倍以上向上するという。
サムスン電子のメモリー事業部戦略マーケティング室のチェ・チョル副社長は「歴代最高のパフォーマンスを持つ次世代DRAMパッケージ発売により、急成長しているプレミアム市場において事業競争力を維持し続けることができるようになった」とし、「今後、さらに差別化されたソリューションを提供し独歩的な事業能力を強化させていく」と強調した。
サムスン電子は、グローバルIT企業に「アクアボルト」を安定的に供給する一方、次世代システムの開発協力をさらに強化し「フラッシュボルト」市場を拡大するとし、プレミアムメモリー市場の需要拡大を積極的に主導していく計画であると説明した。

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