サムスン電子、EUV装置をメモリ生産に適用か…効果は?

サムスン電子がEUV(極端紫外線)装置を用いて非メモリ半導体だけでなく、10nm級のメモリ半導体も生産する計画のようだ。
28日、韓国デジタルトゥデイによると、今年1月にサムスン電子は10nm以下の超微細化を保つために、ASMLのEUV装置を大量に購入し、今月稼動に入ったEUV専用ラインであるサムスン電子・華城(ファソン)キャンパスの「V1ライン」をはじめとする主要工場に投入するようだ。

専門家によると、10nm(ナノ)未満の微細化のためにはASMLの最新EUV(極紫外線)露光装置が必要であるという。既存のArF(フッ化アルゴン)機器でもある程度の微細化が可能であるが、工程が非常に複雑になり時間も大幅に増えてしまうと指摘する。
同紙によると、サムスン電子は、先月15日(現地時間)、オランダASMLの本社にてEUV露光装置20台を導入する4兆ウォン(約3600億円)規模の本契約を締結したという。 2年に渡り導入されるこの装置は、1台当たり1500億〜2000億ウォン(135億円〜180億円)となる超高級半導体製造装置である。
半導体製造でウエハーディスク上に光を照射し、回路パターンを刻む露光技術は、半導体の集積度に大きな影響を与える。その点EUV露光装置は、従来のフッ化アルゴン(ArF)光源より波長の長さが短く、より細かい回路を刻むことができるという。
現在、世界でEUV装置を用いて半導体を量産する企業は、韓国のサムスン電子と台湾のTSMCのみである。インテルとSKハイニクスなど古参の半導体企業もEUVを導入を準備しているが、ほとんどは研究段階であるという。
また、EUVを通じて製造する7nm・5nm級の超微細化工程は、非メモリ半導体に集中している。理由として、メモリ半導体はセル感覚が減少することで干渉現象が発生し、微細化が難しいからである。
サムスン電子もEUV装置の多くをファウンドリやシステム半導体などに使用しているが、いくつかのラインは、メモリ半導体の生産にも使用する予定であるという。
同紙は、サムスン電子が10ナノ級(1z、10ナノ序盤)DRAM(Dラム)や1a(1x・y・z未満の集積度)DRAMから本格的にEUV露光装置を導入し、早ければ今年末に量産を開始する見込みであると伝えた。サムスン電子は昨年3月に世界初の1z DRAMを開発し、2019年下半期から量産すると発表している。
EUVを製造するASMLは、自社のフェイスブックを通じて「これまでファウンドリでのみ、EUV装置での半導体生産が行われていたが、これからはDRAM市場でもEUVを用いた開発と量産が開始される」とし、「これからのDRAM市場はEUVを用い、いかにより多くのチップを生産し、集積度を向上させることができるかがカギである」と述べた。
(参考記事:「メモリ半導体、韓国勢が世界シェアの7割超占める」)
(参考記事:「EUV露光装置好調の蘭ASML、最大購入社はサムスン」)

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