サムスンがEUV適用DRAM生産開始。モジュール100万個を出荷

サムスン電子は25日、業界初となる、EUV工程によるDRAMの量産体制を整えたと発表した。
サムスン電子は同発表において、「EUV工程により製造した第1世代(1x)10ナノ級(1ナノ:10億分の1メートル)DDR4(Double Data Rate 4)DRAMモジュール100万個以上を供給し、グローバル顧客社の評価を完了した」と説明した。

同社は、「半導体微細工程の限界を突破する準備を整えた」とし「Dラムの新しいパラダイムを提示した」と強調した。
EUV露光技術を適用すると、回路を刻む作業を繰り返すマルチパターニング(Multi-Patterning)工程を削減しつつ、パターニング精度の向上や、パフォーマンスと歩留まりの向上、製品開発期間の短縮実現という利点がある。

サムスン電子は現在、EUV工程で14ナノ前半「第4世代10ナノ級(1a)DRAMの量産技術」を開発しており、今後、次世代製品の品質と歩留まりも従来の工程製品以上に向上させる予定であると説明した。
EUVによって製造された第4世代の10ナノ級(1a)DRAMは、第1世代の10ナノ級(1x)DRAMよりも12インチウエハあたりの生産性を2倍高め、事業の競争力をさらに強化することができた。
サムスン電子は、来年、パフォーマンスと容量をさらに高めた第4世代の10ナノ級(1a)DRAM(DDR5、LPDDR5)を量産し、第5世代、第6世代DRAMも先行開発し、プレミアムメモリー市場での技術リーダーシップをさらに強化していくとの戦略を明らかにした。

サムスン電子メモリ事業部DRAM開発室のイ・ジョンベ副社長は「業界で初めて、EUV工程をDRAM量産に適用し、グローバル顧客社に対し、より差別化されたソリューションを一足先に提供することができるようになった」とし、「来年も革新的なメモリ技術により、次世代製品を先行開発し、グローバルIT市場が持続的に成長するために寄与する」と述べた。
一方、サムスン電子は、来年からDDR5 / LPDDR5 DRAM市場の本格拡大に合わせ、グローバルIT顧客社との技術協力を強化し、企業間の様々な標準化活動を推進し、次世代のシステムにおいて新製品搭載の割合を継続的に高めていく予定であるという。

また、サムスン電子は、今年の下半期に、平沢(ピョンテク)にある新規ラインを稼動することで、増加する次世代プレミアムDRAMの需要に安定的に対応できるよう、量産体制を構築する計画であるという。

(写真:サムスン電子のV1ラインのある華城事業所=同社提供)

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