サムスンが160段以上・第七世代NANDを年内量産か

半導体

サムスンが160段以上・第七世代NANDを年内量産か

 
サムスン電子が、回路積層数が160段以上となる超高積層第7世代V NAND型フラッシュを開発中であると、韓国の電子新聞(etnews)が報じた。
160段以上は、NAND型フラッシュでは最高となる積層数だ。データを保存するNANDフラッシュは、積層数が多いほど容量が増える。最近、中国の半導体メーカーである長江メモリテクノロジー(YMTC)が128段NAND型フラッシュを年内に量産する計画であると発表したが、サムスン電子は次の段階に進んでいるようだ。
 
(参考記事:「長江メモリ「今年128段NAND量産」発表」)
 
同V NAND型フラッシュには「ダブルスタック」技術が採用される可能性があるという。サムスンはこれまで「シングルスタック」方式を採用していた。積層数がはるかに増えるためであると同紙は伝えている。

これまで商用化されたNAND型フラッシュメモリの最大積層数は128段であった。160段以上のNAND型フラッシュの開発は、サムスン電子が、競合他社との技術格差をさらに広げることを意味する。

データを保存する役割をするNANDフラッシュは、同じ大きさでストレージ容量を増やすため、NANDセル(データ記憶領域)を増やす必要がある。このような必要から競れたのが「積層」技術であり、既存の平面構造のNAND型をアパートのように垂直に積み上げ記憶容量を増やす。電子新聞によると、サムスン電子が最も高い積層技術を保有していると伝えている。

そのため、3D NAND型フラッシュと呼び、サムスン電子は、独自に「V NAND型」という名称を用いている。サムスン電子のキム・ギナム副会長は3月の株主総会において、メモリ事業について「第7世代V NAND型」の開発を推進すると明らかにしていた。

サムスン電子は昨年、グローバルNANDフラッシュ市場において165億1700万ドル(約15兆円)の売上で市場1位(シェア35.9%)を記録した。

電子新聞は、サムスン電子が新型コロナウイルスの影響のなかでも、NAND型フラッシュ工場である中国西安工場の増設を推進しており、「超格差」を達成するための強い意志の表れであると伝えている。
 
(参考記事:「[特集]サムスンの「超格差戦略」とは何か?(上)」)
(参考記事:「[特集]サムスンの「超格差戦略」とは何か?(下)」)
 
SKハイニクスも最近、メモリ投資を再開している。
 
 


 
 
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