サムスンがNAND生産ラインを増設 来年後半に量産開始へ

半導体

サムスンがNAND生産ラインを増設 来年後半に量産開始へ

サムスン電子がNAND型フラッシュの生産ラインを増設する。

サムスン電子は1日、韓国の平沢(ピョンテク)第2ラインにおいて、NAND型フラッシュ生産のためのクリーンルーム工事に着手し、2021年の後半に量産を開始する計画であると発表した。

今回の投資は、AI、IoTなど4次産業革命の到来と5G普及に伴う中長期NAND型需要拡大に対応するためであると、同社は説明した。

特に最近「アンタクト(非対面型)」ライフスタイルの拡散で、このような傾向がさらに加速すると予想されるなか、積極的な投資で将来の市場機会を先取りしていくという戦略であると同社は強調した。

2015年に造成された平沢キャンパスは、サムスン電子の次世代メモリの前哨基地として世界最大規模の生産ライン2つが建設された。今回の投資で増設されるラインでは、サムスン電子の最先端V NAND型製品が量産される予定であるとのこと。

サムスン電子は、2002年にNANDフラッシュ市場で世界1位となり、現在までに18年以上その座を維持している。昨年7月に業界初の第6世代(1xx段)V NAND型製品を量産している。

サムスン電子メモリ事業部戦略マーケティング室のチェ・チョル副社長は「今回の投資は、不確実な環境の中でも、「メモリ超格差」をさらに拡大するための努力」とし「最高の製品で顧客の需要に支障なく対応することで、国の経済とグローバルIT産業の成長に寄与するだろう」と述べた。

サムスン電子のNAND型フラッシュ生産ラインは現在、韓国の華城(ファソン)と平沢(ピョンテク)、海外では中国西安を運営されている。国内外におけるバランスのとれた投資を通じて安定したグローバルサプライチェーンを維持し、市場のリーダーシップをさらに強化する予定であると同社は説明した。
 
(参考記事:「サムスンが160段以上・第七世代NANDを年内量産か」)
(参考記事:「長江メモリ「今年128段NAND量産」発表」)
(参考記事:「[特集]サムスンの「超格差戦略」とは何か?(上)」)
(参考記事:「[特集]サムスンの「超格差戦略」とは何か?(下)」)
 
(写真:サムスン電子の平沢キャンパスP2ライン全景=サムスン電子提供)
 
 


 
 
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