韓国でストレージクラスのメモリ特許出願が増加…DRAMとNANDの長所併せ持つ技術

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韓国でストレージクラスのメモリ特許出願が増加…DRAMとNANDの長所併せ持つ技術

韓国特許庁によると、既存のDRAMとフラッシュメモリの長所のみを持つとされるストレージクラスのメモリ関連の技術開発が活発に行われていることが分かった。

韓国特許庁は8日、最近5年間(’14〜’18)におけるストレージクラスのメモリ関連出願は、年平均46件となっており、その前の5年間(’09〜’13)における年平均出願件数の11件に比べ、4倍以上増加したと発表した。

ストレージクラスのメモリは、データ処理速度がDRAMと似ていながら、電源供給が中断されてもデータが消えないという優れた特性があり、システムの速度を10倍以上高速改善することができるという。

これらのストレージクラスのメモリを利用して、人工知能、ビッグデータ、モノのインターネット(Iot)などの商用化にともない、爆発的に増加するデータトラフィックをより迅速かつ効率的に処理が可能とされる。

PC、スマートフォンなどで使用されるメモリは、主記憶装置であるDRAMと補助記憶装置であるフラッシュメモリに厳格に区分されてきた。DRAMは、データ処理速度は速いが、電源供給が中断されるとデータが消えるという欠点がある。フラッシュメモリは、DRAMと反対の特性を持つ。

特許庁は、ストレージクラスの技術別特許出願動向について具体的な数字を公表した。

それによると、ストレージクラスのメモリを主記憶装置として使用する技術が58%で最も多く、ストレージクラスのメモリを補助記憶装置として使用する技術が19%、主記憶装置と補助記憶装置の処理速度の違いによるボトルネックを改善するためにストレージクラスのメモリをキャッシュメモリとして使用する技術は17%という順となった。

最近10年間の出願者別の特許出願動向を見ると、メモリ半導体技術の特性上、企業と大学・研究所が大多数(99%)を占めているが、主な出願者は、サムスン電子(29%)、SKハイニクス(19%)、インテル( 16%)、マイクロン(10%)の順となった。

サムスン電子とSKハイニックスは既存のDRAM分野で蓄積した技術的な優位性をもとに、ストレージクラスのメモリを主記憶装置として活用する方案に関心が強いのに対し、アメリカのインテルはマイクロンと共同開発した不揮発性メモリ技術である3DXpointを活用して、主記憶装置と補助記憶装置のデータ処理速度の違いによるボトルネックを改善する研究に重点を置いているものと思われる。

特許庁のイ・ドンヨン電子部品審査課長は「DRAMとフラッシュメモリの市場シェアが世界1位の韓国にとって、ストレージクラスのメモリの登場は、危機にもなりうる」とし、「このような危機をチャンスに変えるためには、ストレージクラスのメモリに関連する技術動向分析と研究開発を継続する必要がある」と述べた。
 
 


 
 
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