「NAND収率90%」を実現したSKハイニクス社員が政府から表彰

半導体

「NAND収率90%」を実現したSKハイニクス社員が政府から表彰

韓国産業省(科学技術情報通信部)と韓国産業技術振興協会(会長ク・ジャギュン)は先日、「大韓民国エンジニア賞」の2020年6月の受賞者として、SKハイニクスのイ・インノ氏(チーム長)を選定した。

同賞は、産業現場の技術革新を奨励し、技術者を優遇する風土を造成するために、毎月、大企業と中小企業のエンジニアを各1人ずつ選定して、科学技術情報通信部長官賞と賞金を授与するものだ。

SKハイニクスのイ・インノ氏は、NAND型フラッシュ(NAND FLASH)メモリ製品の量産歩留まり(収率)90%の達成に主導的役割を遂行したとされ、半導体産業の成長に大きく寄与した功労が認められた。

USBメモリ、デジタルカメラなどに使われているNAND型フラッシュメモリは多くの半導体メーカーが生産しているため、製品の競争力の確保や原価低減が重要となる。

韓国メディア・産業日報によると、イ・インノ氏は、微細加工における不良率の問題を解決するため、既存のウェットエッチング工程をドライエッチング工程に転換し、不良率を改善したという。イ・インノ氏は1997年、エッチング工程エンジニアとしてSKハイニクスに入社し、DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)及びNAND型フラッシュメモリの製品開発、量産移管の業務を遂行してきたという。
 

(写真:SKハイニクスのイ・インノ チーム長)

 
産業日報は、「(SKハイニクスにおいて)3D NAND型フラッシュメモリの量産が開始されると、ウェハーの端の部分で多様なパターン不良が発生し、収率は50%以下にまで下がった」とし、「工程管理チームのリーダーだったイ・インノ氏は分析専門家とエンジニアを招集し、この問題の原因が複合的な不良にあることを明らかにした」と伝えた。
そして「レイアウトを最適化し、露光工程、エッチング工程を再点検するなど、全面的な改善作業を行った」結果として「量産移管から6ヶ月目で収率は90%を上回り、生産性が確保された」と報じた。

産業省によると、イ・インノ氏は、「半導体は、数千人の従業員が一緒に開発して量産する科学技術の集合体」とし、「NAND型フラッシュ競争力の確保に尽力された多くの方々の熱意と努力を(私が)代表して受け取っただけであり、その後の半導体製品のグローバル競争力の確保だけでなく、大韓民国の半導体が世界1位を維持するために、今後も最善を尽くしたい」と受賞の感想を述べた。


 
 
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