UNIST教授、メモリー微細化0.5ナノを実現化する理論をサイエンス誌に発表

半導体 研究開発

UNIST教授、メモリー微細化0.5ナノを実現化する理論をサイエンス誌に発表

サムスン電子の広報は3日、サムスン未来技術育成事業によって支援された、UNIST(蔚山科学技術院)エネルギー&化学工学部イ・ジュニ教授の研究チームが、次世代メモリー半導体の集積度を1000倍以上向上させることができる理論と素材を発表したと伝えた。

同研究では、2日(米国現地時間)、世界的な学術誌「サイエンス(Science)」に掲載された。

このコンテンツを閲覧するにはログインが必要です。
 
この記事は会員限定です。無料購読会員に登録すると続きをお読みいただけます。