SKハイニクス、超高速DRAM「HBM2E」の本格量産を発表

半導体

SKハイニクス、超高速DRAM「HBM2E」の本格量産を発表

SKハイニクスは2日、超高速DRAM「HBM2E」の本格量産に入ったと発表した。昨年8月に開発を開始して以来10ヶ月を経ての量産開始となる。

SKハイニクスによると、「HBM2E」は毎秒3.6ギガビット(Gbps)のデータ処理が可能であり、1024個の情報出入口(I / O)を介して、1秒に460ギガバイト(GB)のデータを処理することができるという。

FHD(Full-HD)映画(3.7GB)124編を1秒で転送できるとされ、「現存する最も速いDRAMソリューション」であるとSKハイニクスは強調した。容量についても、8個の16ギガビット(Gb)DRAMチップをTSV(Through Silicon Via)技術によって垂直連結し、前世代比で2倍以上となる16GBを実現したという。

SKハイニクスは、「HBM2E」はディープラーニングアクセラレータ(Deep Learning Accelerator)、高性能コンピューティングなどの次世代人工知能(AI)システムに最適化されたメモリ・ソリューションとして注目されていると説明した。
 
(参考記事:「SKハイニクス、新たなサーバ用SSD発表」)
(参考記事:「SKハイニクス、HBM2Eメモリ量産間近か?」)
(参考記事:「SKがイメージセンサ新製品を発表。その名も「ブラックパール」」)
 
他にも気象変化、生物医学、宇宙探査などの次世代基礎科学応用科学研究を主導するエクサスケール(Exascale)スーパーコンピュータ(毎秒100軽回の演算を実行可能な高性能コンピューティングシステム)に採用が見込まれていると明かにした。。

SKハイニクスのGSM担当であるオ・ジョンフン副社長は、「SKハイニクスは、世界で初めてHBM製品を開発するなど、人類の文明に貢献する技術革新の先頭に立ってきた」とし、「今回のHBM2Eの本格量産をきっかけに、4次産業革命をリードし、プレミアムメモリー市場における地位を高める良い機会になるだろう」と述べた。

※HBM(High Bandwidth Memory、高帯域幅のメモリ)
– 高帯域幅のメモリでTSV技術を活用して、既存DRAMよりもデータ処理速度を大幅に引き上げた高性能な製品
 
 


 
 
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