韓国IBS「グラフェン積層体の開発に成功」と発表…半導体集積度高める

半導体 研究開発

韓国IBS「グラフェン積層体の開発に成功」と発表…半導体集積度高める

韓国の研究チームが2次元物質であるグラフェンを積層し、半導体回路の集積度を高められる技術を開発した。

基礎科学研究院(IBS)ナノ構造物理研究団のイ・ヨンヒ団長の研究チームが4層の「多層グラフェン」を広く均一に合成する方法を世界で初めて開発したことが7月28日、明らかになった。研究の成果は同日、Natureの姉妹紙である「Nature Nanotechnology」に掲載された。

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