半導体の最先端EUV技術特許、韓国企業の出願が急増…日本はマスク技術で存在感

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半導体の最先端EUV技術特許、韓国企業の出願が急増…日本はマスク技術で存在感

10ナノ以下の最先端の半導体を作る上で最重要となるのがEUV(極紫外線)露光装置だ。韓国における同技術の特許申請のうち、昨年から韓国人による申請が外国人のそれを上回ったことが分かった。昨年、日本による韓国への輸出規制(輸出管理強化)が発動したことで、韓国における国産化機運が高まったためと推測される。
 
(参考記事:「ガスタービン国産化進める韓国、特許出願数で三菱やGEを圧倒…韓国政府も支援」)
 
EUV(Extreme Ultra-Violet)露光技術は、フッ化アルゴンレーザーよりも10分の1未満の短い波長を有する極紫外線を利用し、半導体回路パターンを描くことで、10ナノ以下の超微細回路パターンを描画するために不可欠である。

EUV露光技術は、多層ミラー、多層マスク、ペルリクル、光源、レジストなどの高度な技術で構成されている。オランダのASMLのEUV露光装置は、台湾TSMCと韓国サムスンが導入し、最近は5ナノチップの生産にも適用されるようになった。

韓国特許庁によると、最近10年間(2011年〜2020年)のEUV露光技術の特許出願は14年の88件をピークに18年55件、19年50件となっている。19年からは韓国人(企業)の出願が外国人(企業)の出願件数を上回ったことが分かった。18年には67%対33%で外国人による出願が勝っていたが、翌年の19年には20%対80%となり大きく逆転した。20年(~11月)も韓国人が71%となっている。

企業別では、カール・ツァイス(独)18%、サムスン電子(韓)15%、ASML(蘭)11%、S&S TECH(韓)8%、TSMC(台)6%、SKハイニクス(韓)1%を占め、これら6企業が全体の出願の59%を占めた。

詳細技術別では、プロセス技術32%、露光装置の技術31%、マスク28%、その他の9%に分布している。プロセス技術の分野では、サムスン電子39%、TSMC15%で、両社の出願が54%を占めている。東京エレクトロンは5%で3位に入った。

露光装置の技術では、独カールツァイスが52%、ASMLが35%、サムスン電子が5%、ニコンが2%だった。

はマスクの分野では、S&S TECH(韓)28%、HOYA(日)15%、漢陽大学10%、旭硝子(日)10%、サムスン電子(韓)9%の順であり、日本勢が存在感を示した。

特許庁のチェ・ミスク半導体スクリーニング特許チーム長は、「EUV露光工程と、マスクの分野で韓国企業及び学界が善戦しており、4次産業革命と高性能及び低消費電力の半導体製造のためのEUV露光技術がますます重要になるだろう」とし、「露光装置分野においても技術自立のための研究開発と、これを保護することができる強力な知的財産権の確保が必要である」と述べた。
 
(参考記事:「サムスン、透明ディスプレイ搭載のスマホ特許出願…オランダ紙報じる」)
(参考記事:「韓国の「特許王」が日本企業などのLED特許侵害を示唆…台湾エピスターとは合弁解消」)
(参考記事:「韓国で二次電池特許の出願が活発化…1位ヒュンダイに迫る日本勢、テスラは「スルー」」)


 
 
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