SKハイニクスが極端紫外線（EUV）を利用する次世代DRAMの量産準備に着手したようだ。
 
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韓国の専門メディアであるetnewsは25日、「SKハイニクスは京畿道（キョンギド）利川（イチョン）のDRAM工場内にEUVライン構築を始めた」と報じた。既存の設備を移管し、EUV工場に合う新規装備を入れる作業を進めているという。

同紙によると、M14工場の装備をアップグレード中で、新規オープンを控えているM16にEUV露光機が設置される予定であるとされ、「SKハイニクスがM14とM16を同時に準備するのは、EUV露光機が使われたウェハーがM14とM16に並行生産される計画のためだ」と伝えている。

SKハイニクスはM16にEUV露光機を設置するが、工場間の連結でM14でもEUVを適用したDRAMを生産する方針であると同紙は伝えている。

EUVは既存のフッ化アルゴン（ArF）光源より波長が14分の1ほど短く、半導体に微細回路パターンを具現する際に有利となり、生産性も向上する。

SKハイニクス関係者は「EUV DRAM量産を準備しているが、具体的な生産計画は確認することができない」と明らかにしたという。
 
（参考記事：「紫光集団の財政危機はSKハイニクスに好材料…韓国証券社が分析」）
（参考記事：「[特集]インテル・DDR5・EUVなど…SKハイニクスの見通しを読む（カンファレンスコール）」）
（参考記事：「サムスンが米国に100億ドル規模のEUV半導体工場を建設か…ファウンドリ事業拡大」）