SKハイニクス、EUV露光装置の設置を開始…次世代DRAM生産本格化

半導体

SKハイニクス、EUV露光装置の設置を開始…次世代DRAM生産本格化

SKハイニクスが利川(イチョン)工場の新規 ファブであるMI6に極紫外線(EUV露光装置)の設置を開始したことが分かった。EUV工程に核心装置を用い作業を開始する事で、10ナノクラス第4世代(1a)のDRAM量産準備へさらに弾みがつくものと予想される。
 
(参考記事:「SKハイニクスが176段NAND型開発発表…マイクロンに次ぎ二番目 サムスンは来年量産か」)
 
韓国の有力専門紙であるetnewsは17日、業界関係者の情報を基に、「SKハイニクスは京畿道利川キャンパスに構築しているM16に、ASMLから購入した新規EUV露光装置の設置作業を15日に開始した」と報じた。SKハイニクスは今年中に、次世代DRAMである1a製品をM16で製造するという目標を明らかにしている。

ASMLのEUV露光装置は、極紫外線で円形ウェハ上に回路模様を繰り返し描く装置である。既存のフッ化アルゴンの露光工程よりも波長が14分の1の短い13.5ナノメートル(nm)の波長のEUVを活用するため、より均一で正しい回路を描ける。EUV露光装置は、オランダのASMLが世界市場に独占的に供給しており、1台当たりの価格が1500億ウォン(約140億円)を超える。

同紙によると、EUV露光装置の設置は、通常3-6ヶ月かかる」とし、「工程全般にわたる核心装置の入庫が始まった点を考慮すると、早ければ上半期中に最初の製品の生産が可能という予想もある」と伝えている。
 
(参考記事:「SKハイニクスがEUVライン構築開始か…DRAM適用と韓国紙」)
(参考記事:「[特集]インテル・DDR5・EUVなど…SKハイニクスの見通しを読む(カンファレンスコール)」)
(参考記事:「マイクロンDRAM工場で停電…サムスンSKハイニクスの株価上昇」)
(参考記事:「SKハイニクスが個人用SSD市場に進出…「Gold P31」と「Gold S31」発表」)


 
 
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