韓国検察、10ナノDRAM技術など中国流出疑いで多数を起訴

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韓国検察、10ナノDRAM技術など中国流出疑いで多数を起訴

韓国の検察が、サムスン電子やSKハイニクスなどのDRAMに関連する核心先端技術を中国の競合他社に流出させた疑いで、半導体製造装置メーカーの研究所長など17人を起訴した。
 
(参考記事:「韓国検察が「エアナイフ」技術漏洩者を拘束…対日依存から国産化成功した技術」)
 
ソウル中央地検は26日、韓国国家情報院傘下の産業機密保護センターとの協力で行った「DRAM半導体関連国家の重要な技術、高度な技術国外流出事件」の捜査結果を発表した。

検察は、SKハイニクスのDRAM半導体製造と洗浄に関連する核心技術を中国の競合他社に流出させたとして、半導体装置のメーカーA社の研究所長キム某氏と営業グループ長ユン氏ら2人を産業技術保護法違反、不正競争防止法違反(営業秘密国外漏洩など)などの疑いで拘束起訴した。

また、サムスン電子の子会社であるセメス社の半導体洗浄装置の図面を入手して中国向け半導体装置の開発に使用したとして、A社の工程グループ長であるパク氏など3人を産業技術保護法違反の疑いなどで拘束起訴した。犯行に加担したA社の副社長、品質グループ長およびセメス社の元従業員など12人を在宅起訴した。

キム氏等は、過去2018年8月から2020年6月までにSKハイニクスのHKMG(High-K Metal Gate)半導体製造技術と半導体洗浄レシピなど半導体関連の国家核心技術と高度な技術や営業秘密を、中国の半導体メーカーに流出させた疑いを受けている。

HKMG半導体製造技術は、DRAM半導体の性能を向上させるために、導電率が高い新素材を使用するという最新の半導体製造プロセス技術である。半導体洗浄レシピはSKハイニクスが半導体量産ラインにおいて数万枚以上のパターンウエハ(pattern wafer)で工程を実施し、これを評価、補完して確定した情報である。半導体製造工程の中で洗浄工程に使用される化学物質の配合比、噴射順、速度、圧力などの数値で構成される。

ユン氏等は、2018年8月から昨年6月まで、競合他社であるセメス社の元従業員を介し、セメス社が最初に開発した半導体洗浄装置の図面を入手し、中国向け半導体製造装置の開発に使用した疑いを受ける。これら中国に流出した半導体関連技術は10ナノ級DRAM半導体製造工程の核心技術であるという。

検察は、国家情報院傘下の産業機密保護センターから、国内の半導体核心技術が中国に流出した情況がある情報の提供を受け、捜査に着手した。

検察関係者は、「緻密な捜査を通じて、半導体製造技術の追加の国外流出を防止した」とし「今後も技術流出事件などの専門分野の捜査能力を継続的に強化して国の重要な技術と高度な技術の国外流出師範について厳正対応したい」と述べた。
 
(参考記事:「[特集]韓国政府が技術保護政策を強化…半導体など12分野71件指定 違反時は罰則も」)
(参考記事:「セメス、売上減も1兆ウォン維持」)
(参考記事:「韓国国立大教授、中国への技術流出疑惑で捜査」)


 
 
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