サムスン「3ナノプロセス開発着手」…Q1電話会議で言及

半導体

サムスン「3ナノプロセス開発着手」…Q1電話会議で言及

サムスン電子は29日に行われた2021年第1四半期(1~3月)業績発表後のカンファレンスコールにおいて、「ファウンドリ(半導体受託生産)事業で3㎚(ナノメートル・10億分の1m)第2世代プロセスの開発に着手した」とし「次世代2.5次元(2.5D)集積化技術の開発を完了し、3㎚ベース3D集積回路(IC)パッケージング技術の開発も進めている」とした。
 
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米工場について、「2月の米国テキサス州大雪によるオースティン工場の生産停止による被害規模は、ウェーハ7万1000枚、3000億〜4000億ウォン(約295億円~393億円)程度だ」とし、「去る3月31日に時点で100%の稼働を開始し、現在は完全正常化を示している」とした。

DRAMについて、「現在のDRAMは、15㎚(ナノメートル・10億分の1m)工程で製造しているが、今年の下半期には極紫外線(EUV)装置を適用した14㎚量産を計画している」とし「すでに主要顧客からパフォーマンスと信頼性を認められた状態だ」とした。

続けて「当社は、業界をリードするEUV技術力を保有している」とし「D-RAMは、技術の微細化とパラダイムの変化において、EUVが重要なので、このような技術は競争力の基礎になるものと期待している」と付け加えた。
 
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