サムスンの最先端メモリ基地、来年にも量産突入か…第7世代V-NANDとEUV適用DRAM生産

半導体

サムスンの最先端メモリ基地、来年にも量産突入か…第7世代V-NANDとEUV適用DRAM生産

サムスン電子が平沢(ピョンテク)にある第3キャンパス(P3)の工事を間もなく始め、早ければ来年4月に機器を搬入して、量産準備に突入する計画を検討しているとの報道が出ている。。平沢P3は、第7世代積層(V)のNAND型フラッシュと極紫外線(EUV)露光装置ベースのDRAMなど、最先端のメモリ製品を量産する見通しだ。
 
(参考記事:「サムスン電子、半導体特許保有数で世界1位に…TSMCの2倍以上」)
 
毎日経済新聞5日、サムスン電子が上記のようなP3投資計画を積極的に検討していると報じた。 P3は昨年9月から基礎工事と上部骨組工事を進めている段階と伝えられる。

同紙によると、半導体業界の関係者は、「早ければ来年4月か5月に外観工事を完了し、機器を搬入する予定」とし、「NAND型とDRAM生産が確定し、半導体受託生産(ファウンドリー)はまだ具体的な生産計画はない」と述べたという。

毎日経済新聞は、「平沢の第三の半導体工場であるP3ラインは、少なくとも30兆ウォンから最大50兆ウォンが投資されるものと業界は期待している」とし、P3の本稼動時期は2023年であると伝えた。

P3は10ナノメートル(㎚・1㎚は10億分の1m)級EUV DRAMと176段以上7世代V NAND型を量産する最先端メモリ生産基地として計画されているとされる。一方で、大規模取引先の契約が成立すれば、ファウンドリラインに転換する可能性もあると同紙は伝えている。
 
(参考記事:「サムスン「3ナノプロセス開発着手」…Q1電話会議で言及」)
(参考記事:「サムスンのQ1実績、史上予想上回るも半導体は低調…R&Dは過去最大規模」)
(参考記事:「サムスン電子、半導体生産ラインの増設を本格化…平沢第3ライン9月着工へ」)


 
 
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