SKハイニクス、EUV活用10ナノ級4世代DRAMを本格量産

未分類

SKハイニクス、EUV活用10ナノ級4世代DRAMを本格量産

SKハイニクスが10ナノ級4世代(1a)微細工程を適用した8Gbit(ギガビット)LPDDR4・モバイルDRAMの量産を今月初めに開始したと12日明らかにした。

* LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4) – 取り外し可能デバイス用に開発された低消費電力DRAM。 DDRはJEDEC(国際半導体標準協議機構)で規定されたDRAMの標準規格名称で、DDR1-2-3-4に世代が変わる

半導体業界では、10ナノ台DRAMから世代別のアルファベットの記号を付けて呼称しており、1x(第1世代)、1y(第2世代)、1z(第3世代)に続き、1aは第4世代の技術である。 1a技術が適用されたモバイルDRAMの新製品は、下半期からスマートフォンメーカーに供給される予定である。

特に、この製品は、SKハイニクスのDRAMの中で初めてEUV *プロセス技術を使用して量産されるという意味がある。先にSKハイニクスは1y(第2世代)製品の生産過程でEUVを一部導入して安定性を確認したことがある。

* EUV(Extreme Ultraviolet) – 極紫外線を利用して光を投射する露光(露光)機器

工程が非常に微細化され、半導体企業はウエハに回路パターンを描画するフォト工程にEUV装置を相次いで導入している。業界では、今後、EUV活用レベルが技術リーダーシップの優位性を決定する重要な要素になると見ている。 SKハイニクスは今回EUVプロセス技術の安定性を確保しただけに、今後1a DRAMすべての製品にEUVを活用して生産するという立場だ。

また、SKハイニクスは、新製品の生産性の向上にコスト競争力を高める効果を期待している。 1a DRAMは、前世代(1z)のような規格の製品よりウエハ一枚で得ることができるDRAM量が約25%増えた。今年、世界的にDRAMの需要が増え、グローバルメモリ半導体需給の1a DRAMが大きな役割をしてくれることを会社は期待している。

今回の新製品は、LPDDR4モバイルDRAM規格の最高速度(4266Mbps)を安定的に実装しながらも、従来製品に比べ、消費電力を約20%減らした。低消費電力の強みを補強することにより、二酸化炭素排出量を減らすことができており、SKハイニクスは、この製品がESG経営の観点からも意味があると強調した。

SKハイニクスは今回のLPDDR4製品に続き、昨年10月、世界初の新世代DRAMであるDDR5は来年初めから1a技術を適用する計画だ。

SKハイニクス1a DRAMTF章ジョ・ヨンマン副社長は、「今回の1a DRAMは、生産性とコスト競争力が改善され、高い収益性を期待できる製品」とし「EUVを量産に本格的に適用することにより、最先端の技術をリードする企業としての地位を強固にすることができるだろう」と明らかにした。 (終わり)


 
 
あなたの感想をSNSでシェアする


この記事について、あなたの感想は?
  • 強い関心がある
  • 関心がある
  • どちらでもない
  • 関心がない
  • 全く関心がない