サムスン副社長、メモリ製品の競争力に自信 カンファレンスコールで発言

半導体

サムスン副社長、メモリ製品の競争力に自信 カンファレンスコールで発言

サムスンのメモリ担当副社長が自社のメモリ製品の競争力について自信を覗かせた。

韓国メディアなどによると、ハン・ジンマン=サムスン電子メモリ部門副社長は29日、第2四半期の業績発表後のカンファレンスコールにおいて、「サムスンは、シングルスタック方式で128段を上げ、業界最高のエッチング技術を確保し、今ではこれをどのように効率的に積み上げか、その時点と方法についての悩みがより重要になった」とし「言い換えれば、今は段数だけに集中するよりも、そのように積んだ高さが効率の面やコスト面でどのように競争力があるのかが、サムスンが現在集中しているポイント」であると述べた。

続けて、ハン副社長はDDR5などDRAMコスト競争力についても「DRAMが世代を重ねて微細化が進むにつれて、コスト削減の難易度が高くなるのは事実」とし「ただ、コスト競争力の確保のために一次的に適用された技術を無条件に適用するのがでなく、効率の面を綿密に検討し、最終的に採用することになるだろう」と述べた。

それとともに「これから披露する14ナノベースのDDR5製品は、EUVを適用して、全体の工程が減少し、コストを削減する構造」とし、「DDR5は14ナノから価格競争力が確保されるものであり、来年から収益性も改善されるだろう」と述べた。

ハン副社長は、「NAND型の場合、2022年まで176段6、7世代が中心になるだろうから10年後までに技術ロードマップがある」とし「ダブルスタックによって絶対的な価格競争力が期待されている200段以上8世代V NAND型は動作チップを既に確保してラインナップの拡大を準備している」と紹介した。
 
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