サムスン、今年のメモリ生産は過去最低の増加量か

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サムスン、今年のメモリ生産は過去最低の増加量か

サムスン電子の今年のメモリ生産増加量が過去最低になると予想される。

サムスン電子は30日、2019年第4四半期業績発表のカンファレンスコールにおいて、「今年、Dラムのビットグロス(bit growth)は、年間10%半ば、NAND型フラッシュは20%半ばの成長を期待している」とし、市場の需要に合わせて生産を増やすと明らかにした。

ビットグロスはビット単位で換算したメモリ量の増加率を意味する。同社の期待どおりいけば、今年のメモリの生産量の増加率は、過去最低となるものである。市場調査会社HISマークィットによると、D-ラムのビットグロスが歴代最低値を記録した年は2018年である。当時14.3%を記録した。 NAND型は毎年30〜40%のビットグロスを示していた。

サムスン電子メモリ事業部商品企画チームのハン・ジンマン専務は「Dラムは堅調な需要の増加、安定市場環境が造成されるだろう」とし「NAND型はDラムよりも良好」と述べた。ハン専務は「(過剰だった)Dラム在庫は上半期に正常化するだろう」とも述べた。

今年はインフラ(建設など)投資は継続するが、生産量に影響を与える設備投資に関しては市況回復の推移を見ながら柔軟に対応する計画だと明らかにした。ハン専務は「需要が予想を上回れば平澤(ピョンテク)2工場と中国西安の2工場を活用して弾力的に対応する」と述べた。

サムスン電子はこの日の実績発表において、今年、1yナノDラム、第6世代V NAND型などの微細プロセスへの切り替えを拡大しコスト競争力を強化、サーバー用大容量の製品とモバイルLPDDR5製品の需要に対応する計画だと明らかにした。


 
 
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