サムスンが中国西安の半導体工場に追加投資、V NAND型増産へ

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サムスンが中国西安の半導体工場に追加投資、V NAND型増産へ

サムスン電子が、西安の半導体ラインに80億ドル(約9兆4900億ウォン)規模の追加投資をすることが分かった。中国メディア報道などを受け韓国各紙が報じている。
サムスン電子は2017年8月にNAND型フラッシュメモリの量産規模を拡大するために、3年間で合計70億ドル(約8兆3000億ウォン)を西安の半導体工場に投資すると発表していた。 ここに、ステップ2としてライン増設などに80億ドルを追加投資するものとみられる。

西安工場では、V NAND型が主に量産されるようだ。V NAND型は、平面のNAND型とは異なり、3次元構造で作られるため集積度が高く、容量が大きい。 サムスン電子は、2014年から西安の半導体工場でV NAND型の生産規模を増やしてきた。 サムスン電子は今年第3四半期の実績カンファレンスコールで、「中長期の需要の増加に対応するため中国西安工場を2020年初めから稼働させ増設規模を弾力的に運用する」と述べていた。

西安工場の2ラインが完成すれば、サムスン電子のNAND型フラッシュの独走体制がより強まるとみられる。 サムスン電子のNAND型フラッシュの生産拠点は平沢、華城、中国の西安の三ヶ所。 2021年ごろに西安へ第二段階投資が完了すれば、(ウェハ基準での)生産能力は月間で約13万枚規模であり、同12万枚規模である現第1ラインと合わせ、同25万枚規模の生産能力を持つものと予想されている。


 
 
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