サムスンのファウンドリー事業が協力、米ラティス社がFPGAプラットフォーム提供

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サムスンのファウンドリー事業が協力、米ラティス社がFPGAプラットフォーム提供

プログラマブル半導体業界をリードするラティスセミコンダクターコーポレーション(Lattice Semiconductor Corporation)が新しい低消費電力FPGAプラットフォーム「ラティスネクサス(Lattice Nexus™)」を発表した。同プラットフォームはサムスンのファウンドリ事業の協力によって提供される。
ラティス社によると、IoT、ビデオ、ハードウェアセキュリティ、組み込みビジョン、5Gインフラ、産業/自動車の自動化のための人工知能(AI)をはじめとするさまざまなアプリケーションの開発者に大きな助けになることができるよう、電力効率を高めたプラットフォームを提供するとのこと。
スティーブ・ダグラス(Steve Douglass)同社R&D担当副社長は、「ラティスネクサスプラットフォームはエッジAI推論やセンサーの管理のように、今日の技術トレンドが要求する電力効率性能を加味しFPGAの並列処理と再プログラミング(re-programmability) 能力を強化し、ラティスの将来の製品発売を加速する」とし「ラティスネクサスプラットフォームは急成長しているアプリケーションをターゲットに使いやすいソリューションスタックを提供することにより、FPGAの設計に慣れていないユーザーでも、迅速かつ容易にシステムを開発することができる」と述べた。
ラティスネクサスプラットフォームは、使いやすさとシステムの開発速度を向上させることができるよう、設計ソフトウェア、事前製作したソフトIPブロック、評価ボード、キット、リファレンスデザインを一つにまとめたシステムレベルの革新的なソリューションを提供するという。 このソリューションは、センサブリッジ(bridging)、センサーアグリゲーション(aggregation)、画像処理などが含まれており、組み込みビジョンのような高成長アプリケーションに有用である。
レチスネクサスプラットフォームは、サムスン電子の28nm FD-SOI(fully-depleted silicon-on-insulator)プロセス技術をベースに開発された。 28nm FD-SOIプロセスは、バルク型CMOSプロセスに比べて、トランジスタ漏れ量が50%少ないことが特徴で、低消費電力のラティスネクサスプラットフォームに最適な技術であるとのこと。
ライアン・リー(Ryan Lee)サムスン電子ファウンドリ事業部マーケティング担当副社長は、「ラティスセミコンダクターと協力し、サムスン電子28FDS向上プロセス技術の利点を低消費電力FPGA市場に提供することになり喜ばしい」とし「業界をリードするサムスン電子の 差別化された鋳造技術とFPGAファブリックデザインのラティスセミコンダクターの革新性と専門性がそろったことでラティスセミコンダクターは今後、低消費電力FPGA市場をリードするだろう」と述べた。


 
 
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