サムスン、半導体3ナノ工程技術を開発か

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サムスン、半導体3ナノ工程技術を開発か

サムスン電子の華成工場にある半導体研究所は2日イ・ジェヨン副会長が訪問した席で、世界に先駆けて開発した3ナノプロセス技術を実証した。韓国各紙が報じている。
イ副会長はこの日、サムスン電子が世界に先駆けて開発したという3ナノプロセス技術内容を視察したという。
3ナノ工程は、次世代技術であるゲートオールアラウンド(GAA:Gate-All-Around)を適用したという。 5ナノ製品に比べ、チップ面積を約35%以上削減することができるとのこと。


 
 
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