SKハイニクスが米CESで半導体諸技術を展示。最先端NAND・Dラム本格量産へ

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SKハイニクスが米CESで半導体諸技術を展示。最先端NAND・Dラム本格量産へ

SKハイニックスが、1月7日から1月10日まで、米国ラスベガスで開催される世界最大IT /家電展示会CES2020において、4次産業革命を主導するという半導体諸技術を披露した。

「メモリ中心の世界(Memory Centric World)」をテーマを掲げ出典した同社は、膨大なデータが活用された未来都市を形象化し、人工知能(AI)、拡張現実(AR)/バーチャルリアリティ(VR)、オートモーティブ(Automotive)、IoT、ビッグデータ、5Gなど、6つの事業分野に関連する半導体ソリューションを展示した。

SKハイニックスによると、同社が披露した主な製品は、信頼性/速度/消費電力/容量の面での優位性を強調し、5G、AIなど、未来の4次産業にあまねく使用されるHBM2E、サーバ用DDR5、SSDなどのメモリ・ソリューションや、自動車に最適化された耐久性の高いLPDDR4X、 eMMC 5.1などである。また、5G、スマートフォンの性能を向上させることができるLPDDR5とUFS、AR / VRとIoT環境の構築に不可欠なCIS(CMOSイメージセンサー)なども展示した。

特に、B2C製品PCIe NVMeインターフェイス方式の「一般消費者向けSSD」は今回のCESで初めて紹介したと強調。この製品は、SKハイニックスが昨年6月、世界で初めて量産した128段4D NAND型をベースにしたという。読みこみ・書きこみ速度は、昨年8月に発売した同社SATAインターフェイス方式の一般消費者向けSSDよりも6倍以上向上したとのこと。

SKハイニックスは、CESにおいて、一般消費者向けのSSDとCIS製品を直接体験することができるスペースも造成した。特にCIS体験ゾーンは、訪問者がブースに展示されたスマートフォンで自身を撮影すると、CISが被写体を認識し、デジタル画像に変換する過程を体験することができ、来場者の高い関心を集めたと同社は紹介した。

SKハイニックスの関係者は、「今年は、128段4D NAND型ベースのテラバイト級の高性能NAND型ソリューションと、第3世代の10ナノ級Dラムの量産を本格開始する」とし「顧客が必要とする、競争力の高い製品をタイムリーに発売し、市場の変化に積極的に対応する」と述べた。

(写真:米CESにおけるSKハイニクスの展示ブース=SKハイニクス提供)


 
 
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