TSMCが3ナノ技術公開へ、サムスンとの微細工程競争激化

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TSMCが3ナノ技術公開へ、サムスンとの微細工程競争激化

22日、外信や韓国各紙によると、世界1位のファウンドリ企業である台湾TSMCは、来る4月29日、北米技術シンポジウムにおいて3ナノプロセス技術を具体的に公開する予定であるという。

TSMCは、今月の実績発表カンファレンスコールにおいて、「顧客各社と3ナノデザインについてコラボレーションしており、プロセス技術の開発もよくなっている」とし、このような計画を明らかにしたという。先立って、TSMCは今年中に5ナノ、2022年までに3ナノ半導体を量産するという目標を提示していたが、具体的な技術ロードマップを公開していなかった。

一方、サムスン電子は、去る2018年に初めて「GAA(Gate-All-Around)」技術を含む3ナノ工程のロードマップを公開し、昨年、顧客に設計ツールを提供していた。 今月2日には、サムスン電子の実質的総裁であるイ・ジェヨン副会長の同席のもと、同社華城工場において、世界初の3ナノ工程のデモンストレーションを行った。まだ量産体制には入っていないが、TSMCとの技術競争への意欲を示した形だ。

ファウンドリ事業者のなかで、7ナノ以下の微細プロセス技術を保有している企業は、サムスン電子とTSMCのみである。サムスン電子とTSMCのファウンドリ(半導体受託生産)事業における微細工程競争が一層激しくなる見通しだ。

KDB未来戦略研究所のカン・サング研究員は20日に発表したレポートにおいて、「TSMCは、20年に5ナノ、22年に3ナノ半導体の量産ロードマップを持っていたが、サムスン電子の3ナノプロセス開発を受け同量産時期を早める」予想。

同紙は「(サムスンが)3ナノ工程を先に量産する場合ファブレス(半導体設計)会社から最新の半導体を受注する可能性が高くなる」とし「サムスン電子は7ナノ以下の微細プロセス技術力の面でTSMCと対等な水準」とするも、「サムスン電子と競争関係にあるファブレスが持つ技術流出の懸念を解消する方策が必要だ」と説明した。

(参考記事:「サムスン・ファウンドリが独立すべき理由、しない理由」)

また、同氏は、デザインハウスとの協力関係という点で、サムスンはTMSCとまだ差があるとも指摘し、TSMCは8つのグローバルベンダーを置くことで、デザインサービスのほか中小型ファブレス対象営業も担当するなどTSMCをサポートしていると説明する。

(参考記事:「韓国のデザインハウス業界でM&A相次ぐ。サムスン・ファウンドリの影響か」)

(参考記事「サムスン・ファウンドリを巡りデザインハウスも合従連衡」)

一方、サムスン電子は昨年初め、2030年までにシステム半導体において首位に立つという目標を提示した。しかし、昨年第4四半期基準においてサムスン電子のファウンドリ市場シェアは17.8%、TSMCは52.7%を記録し、その差が開いていた。

(参考記事:「TSMC過去最高売上でサムスンとの差広げる」)


 
 
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