サムスンとSKの昨年R&D大幅増加。半導体不況にも関わらず

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サムスンとSKの昨年R&D大幅増加。半導体不況にも関わらず

サムスン電子とSKハイニクスは昨年、半導体不況に苦しみながらも研究開発(R&D)投資を史上最高規模で増やしていたことが分かった。韓国の経済メディアなどが報じた。

SKハイニクスが27日公示した監査報告書によると、昨年のR&D費用の合計支出額は前年比10%増の3兆1885億ウォンと集計された。 SKハイニクスの年間R&D投資のコストが3兆ウォンを超えたのは、昨年が初めてだ。

また、サムスン電子も最近公示した監査報告書を通じて、2019年のR&D総支出額が20兆1929億ウォンと発表していた。前年(18兆6504億ウォン)に比べ8.3%増の規模だ。サムスン電子のR&Dコストが20兆ウォンを超えたのは初めてだ。

昨年、サムスン電子とSKハイニクスは、半導体不況の直撃弾を迎えた。サムスン電子の昨年の営業利益は前年比で約52.8%減となり、SKハイニクスも約87%減少していた。そのような状況でのR&D増加からは、反転への意思が読み取れる。

韓国経済新聞は、サムスン電子の昨年のR&D費用は、システム半導体と量子ドット(QD)ディスプレイなどをはじめとする新事業投資に集中されたものと推定する。

サムスン電子は昨年4月に「2030年までにシステム半導体でグローバル1位が目標」とし、技術開発事業に総133兆ウォンを投資すると発表している。同紙によると、年平均費用だけでも11兆ウォンが発生するとしており、同投資は今年1月の3ナノプロセス技術の開発成果につながったと分析する。昨年10月に忠清南道牙山にあるサムスンディスプレイのQD生産ラインに約13兆ウォンを投資した。

SKハイニクスも次世代技術のための投資を継続した。昨年6月に128段4D NAND型フラッシュの量産に成功したSKハイニクスは、同年8月に高帯域幅のメモリ(HBM)である「HBM2E Dラム」、10月には第3世代の10ナノ級(1z)16GB(ギガビット)DDR Dラムを開発している。


 
 
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